[发明专利]用于存储器件的结构、器件和方法有效
| 申请号： | 201410509519.2 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105097810B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 张峰铭;洪连嵘;黄怀莹;王屏薇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于制造存储器件的各种结构、各个器件和各种方法。一种结构包括设置在第一导电层中的第一导线；设置在第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关的第一着陆台；以及设置在第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关的第二着陆台。第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造存储器件的结构，所述结构包括：第一导线，设置在第一导电层中；第一着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关；以及第二着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关，其中，所述第二着陆台通过第一层间连接结构连接至所述第二导电层中的第三着陆台，以及所述第三着陆台通过第二层间连接结构连接至设置在所述第三导电层中的所述第三导线；其中，所述第二导电层和所述第三导电层与所述第一导电层不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410509519.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：闪存的接触结构及其制造方法
- 下一篇：半导体封装件及其制法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
