[发明专利]用于存储器件的结构、器件和方法

说明书

优先权要求和交叉引用

本发明要求于2014年5月5日提交的美国临时专利申请第61/988,339号的优先权和权益，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明中描述的技术总体涉及半导体器件，更具体地，涉及半导体器件的制造。

背景技术

静态随机存取存储器(SRAM)器件用于需要速度高、功耗低和操作简单的各种应用中。SRAM器件通常包括多个存储单元，并且每个单元都可以包含多个部件，诸如晶体管、晶体管的有源区、导线(例如，字线、位线)、层间连接结构(例如，通孔)和接触件。SRAM单元通常包含一对布置为用于存储数据的锁存单元的反相器。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造存储器件的结构，该结构包括：第一导线，设置在第一导电层中；第一着陆台，设置在第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关；以及第二着陆台，设置在第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关；其中，第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。

优选地，存储器件对应于静态随机存取存储器(SRAM)器件；第一导线对应于SRAM器件的写入字线；第二导线对应于SRAM器件的第一读取字线；以及第三导线对应于SRAM器件的第二读取字线。

优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第二导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。

优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第三导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。

优选地，第一导线沿着第一方向延伸；第一着陆台沿着第一方向延伸；以及第二着陆台沿着第一方向延伸。

优选地，第一着陆台通过第一层间连接结构连接至设置在第二导电层中的第二导线。

优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；以及第三着陆台通过第三层间连接结构连接至设置在第三导电层中的第三导线。

优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；第三着陆台通过第三层间连接结构连接至第四导电层中的第四着陆台；以及第四着陆台通过第四层间连接结构连接至第三导电层中的第三导线。

优选地，第一着陆台和第二着陆台设置在第一导线的相同侧上。

优选地，第一着陆台和第二着陆台沿着相同的导电轨迹设置。

根据本发明的另一方面，提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)器件，包括：第一字线，设置在第一导电层中；第二字线，设置在第二导电层中并且与设置在第一导电层中的第一着陆台相关；以及第三字线，设置在第三导电层中并且与设置在第一导电层中第二着陆台相关；其中，第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。

优选地，第一字线对应于写入字线；第二字线对应于第一读取字线；以及第三字线对应于第二读取字线。

优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第二导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。

优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第三导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。

优选地，第一字线沿着第一方向延伸；第一着陆台沿着第一方向延伸；以及第二着陆台沿着第一方向延伸。

优选地，第一着陆台通过第一层间连接结构连接至设置在第二导电层中的第二字线。

优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；以及第三着陆台通过第三层间连接结构连接至设置在第三导电层中的第三字线。

优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；第三着陆台通过第三层间连接结构连接至第四导电层中的第四着陆台；以及第四着陆台通过第四层间连接结构连接至第三导电层中的第三字线。

优选地，第一着陆台和第二着陆台设置在第一字线的相同侧上

根据本发明的又一方面，提供了一种制造存储器件的方法，该方法包括：在第一导电层中形成第一导线、第一着陆台和第二着陆台；形成一个或多个第一层间连接结构以将第一着陆台连接至第二导电层中的第二导线；以及形成一个或多个第二层间连接结构以将第二着陆台连接至第三导电层中的第三导线；其中，第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。