[发明专利]用于存储器件的结构、器件和方法

权利要求书

1.一种用于制造存储器件的结构，所述结构包括：

第一导线，设置在第一导电层中；

第一着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关；以及

第二着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关，其中，所述第二着陆台通过第一层间连接结构连接至所述第二导电层中的第三着陆台，以及所述第三着陆台通过第二层间连接结构连接至设置在所述第三导电层中的所述第三导线；

其中，所述第二导电层和所述第三导电层与所述第一导电层不同。

2.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述存储器件对应于静态随机存取存储器SRAM器件；

所述第一导线对应于所述SRAM器件的写入字线；

所述第二导线对应于所述SRAM器件的第一读取字线；以及

所述第三导线对应于所述SRAM器件的第二读取字线。

3.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；

所述第二导电层与相对于所述衬底的第二高度相关；以及

所述第二高度大于所述第一高度。

4.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；

所述第三导电层与相对于所述衬底的第二高度相关；以及

所述第二高度大于所述第一高度。

5.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第一导线沿着第一方向延伸；

所述第一着陆台沿着所述第一方向延伸；以及

所述第二着陆台沿着所述第一方向延伸。

6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一着陆台通过第三层间连接结构连接至设置在所述第二导电层中的所述第二导线。

7.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第三着陆台通过第三层间连接结构连接至第四导电层中的第四着陆台；以及

所述第四着陆台通过第四层间连接结构连接至所述第三导电层中的所述第三导线。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一着陆台和所述第二着陆台设置在所述第一导线的相同侧上。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第一着陆台和所述第二着陆台沿着相同的导电轨迹设置。

10.一种静态随机存取存储器(SRAM)器件，包括：

第一字线，设置在第一导电层中；

第二字线，设置在第二导电层中并且与设置在所述第一导电层中的第一着陆台相关；以及

第三字线，设置在第三导电层中并且与设置在所述第一导电层中第二着陆台相关，所述第二着陆台通过第一层间连接结构连接至所述第二导电层中的第三着陆台，以及所述第三着陆台通过第二层间连接结构连接至设置在所述第三导电层中的所述第三字线；

其中，所述第二导电层和所述第三导电层与所述第一导电层不同。

11.根据权利要求10所述的器件，其中：

所述第一字线对应于写入字线；

所述第二字线对应于第一读取字线；以及

所述第三字线对应于第二读取字线。

12.根据权利要求10所述的器件，其中：

所述第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；

所述第二导电层与相对于所述衬底的第二高度相关；以及

所述第二高度大于所述第一高度。

13.根据权利要求10所述的器件，其中：

所述第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；

所述第三导电层与相对于所述衬底的第二高度相关；以及

所述第二高度大于所述第一高度。

14.根据权利要求10所述的器件，其中：

所述第一字线沿着第一方向延伸；

所述第一着陆台沿着所述第一方向延伸；以及

所述第二着陆台沿着所述第一方向延伸。

15.根据权利要求10所述的器件，其中，所述第一着陆台通过第三层间连接结构连接至设置在所述第二导电层中的所述第二字线。