[发明专利]用以降低编程干扰的存储器装置及其编程方法有效
| 申请号： | 201410508068.0 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105280224B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张国彬;张智慎 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用以降低编程干扰的存储器装置及其编程方法，编程具有交替页方向的三维与非门闪存的常见问题包括背图案效应与图案诱发编程干扰。改进的编程技术可实质上降低这些问题，并于设定存储单元的阈值电压时增加准确度。提供范例技术混合「透过字线」与「透过页」编程的观点。因此，每页可由最靠近串行选择结构的存储单元开始编程，且多个偶数或奇数上的存储单元可实质上同时被编程。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 降低 编程 干扰 存储器 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：一存储单元阵列结构，该阵列结构是组织为包括多个偶数页、多个奇数页及多列，这些列垂直于这些偶数页与奇数页，使得每一列包括多个第一存储单元与第二存储单元，这些第一存储单元位于这些偶数页上，这些第二存储单元位于这些奇数页上；一第一串行选择结构，设置于该阵列结构的一第一侧且连接于这些偶数页；一第二串行选择结构，设置于该阵列结构的一第二侧且连接于这些奇数页，该第二侧相对于该第一侧；以及一控制器，可操作地连接于该阵列结构、该第一串行选择结构与该第二串行选择结构；其中该控制器是可操作，以由最靠近于该第一侧的一第一列中的这些第一存储单元开始，编程该偶数页，且其中该控制器更可操作，以由最远离该第一侧的一最终列中的这些第二存储单元开始，编程该奇数页。
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