[发明专利]用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法

摘要

本发明提供了一种在进行低温注入工艺之后，用于将晶圆加热至期望温度的高产量系统，包括：注入室，配置为均匀地加热单个晶圆的晶圆加热室，以及通过系统转移晶圆的多个机械臂。在制造工艺的各个阶段，机械臂同时工作于多个晶圆，并且因此，该系统提供了高产量工艺。此外，加热室可以是真空环境，以便消除导致晶圆沾污的雾凝结问题。本发明涉及用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法。

主权项

1.一种制造半导体晶圆的方法，所述方法包括：将第一半导体晶圆从冷却室转移至注入室；在所述注入室内对所述第一半导体晶圆实施注入工艺；在对所述第一半导体晶圆实施所述注入工艺之后，通过第一机械臂将所述第一半导体晶圆转移至加热室，并且同时通过第二机械臂将第二半导体晶圆从冷却室转移至所述注入室；所述第一机械臂位于所述注入室内并配置成为了将所述第一半导体晶圆从所述注入室转移至所述加热室而能够到达所述加热室，所述冷却室和所述加热室以分别沿着所述注入室的第一侧和第二侧的方式设置于所述注入室外部，所述第一侧与所述第二侧相对；在所述加热室内加热所述第一半导体晶圆，并且同时对所述第二半导体晶圆实施所述注入工艺；将所述第一半导体晶圆转移出所述加热室以用于进一步处理，并且同时将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室；以及在所述加热室内加热所述第二半导体晶圆。