[发明专利]用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法

说明书

本发明提供了一种在进行低温注入工艺之后，用于将晶圆加热至期望温度的高产量系统，包括：注入室，配置为均匀地加热单个晶圆的晶圆加热室，以及通过系统转移晶圆的多个机械臂。在制造工艺的各个阶段，机械臂同时工作于多个晶圆，并且因此，该系统提供了高产量工艺。此外，加热室可以是真空环境，以便消除导致晶圆沾污的雾凝结问题。本发明涉及用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年3月15日提交的题目为“用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法”的美国临时专利申请第61/785,729号(发明人为詹尊仁等)的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法。

背景技术

在传统的半导体制造工艺中，在完成低温注入之后，存在用于加热晶圆以使其回到室温的多种技术。在一个这种技术中，通过台板(platen)直接加热晶圆。在另一种技术中，将室温空气注入至装载锁内并用于缓慢加热晶圆。最后，可以在装载锁内部放置单管式灯以加热晶圆。

然而，所有这些传统的技术都具有缺点。直接地加热台板导致每小时的晶圆产出量(“WPH”)低并且由于加工室需要更多的时间而降低了生产量。在装载锁内注入室温空气除了耗费了大量的时间并不利地影响生产量之外，也导致低WPH和晶圆沾污(spotting)缺陷(由雾引起的水冷凝)。利用单个灯加热晶圆的这些技术导致非均匀的加热，其进一步引起从晶圆至晶圆以及从管芯至管芯的非均匀的掺杂剂扩散和非均匀的器件行为。

因此，本领域中需要一种减轻或消除这些缺点的晶圆加热技术。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体晶圆的方法，所述方法包括：将第一半导体晶圆转移至注入室；在所述注入室内对所述第一半导体晶圆实施注入工艺；在对所述第一半导体晶圆实施所述注入工艺之后，将所述第一半导体晶圆转移至加热室，并且同时将第二半导体晶圆转移至所述注入室；在所述加热室内加热所述第一半导体晶圆，并且同时对所述第二半导体晶圆实施所述注入工艺；将所述第一半导体晶圆转移出所述加热室以用于进一步处理，并且同时将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室；以及在所述加热室内加热所述第二半导体晶圆。

在上述方法中，其中，将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室还包括：同时将第三半导体晶圆转移至所述注入室。

在上述方法中，其中，将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室还包括：同时将第三半导体晶圆转移至所述注入室，还包括：对所述第三半导体晶圆实施所述注入工艺，并且同时在所述加热室内加热所述第二半导体晶圆；将所述第二半导体晶圆转移出所述加热室以用于进一步处理，并且同时将所述第三半导体晶圆转移至所述加热室；以及在所述加热室内加热所述第三半导体晶圆。

在上述方法中，其中，加热所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆包括：均匀地加热所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆。

在上述方法中，其中，加热所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆包括：将所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆加热至基本上等于室温的温度。

在上述方法中，其中，所述注入工艺是低温注入工艺。

在上述方法中，其中，所述加热室是真空环境。

在上述方法中，其中，所述加热室是单个晶圆加热室。

在上述方法中，其中，将所述第一半导体晶圆转移出所述加热室还包括：将所述第一半导体晶圆转移至装载锁。