[发明专利]用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法

权利要求书

1.一种制造半导体晶圆的方法，所述方法包括：

将第一半导体晶圆从冷却室转移至注入室；

在所述注入室内对所述第一半导体晶圆实施注入工艺；

在对所述第一半导体晶圆实施所述注入工艺之后，通过第一机械臂将所述第一半导体晶圆转移至加热室，并且同时通过第二机械臂将第二半导体晶圆从冷却室转移至所述注入室；所述第一机械臂位于所述注入室内并配置成为了将所述第一半导体晶圆从所述注入室转移至所述加热室而能够到达所述加热室，所述冷却室和所述加热室以分别沿着所述注入室的第一侧和第二侧的方式设置于所述注入室外部，所述第一侧与所述第二侧相对；

在所述加热室内加热所述第一半导体晶圆，并且同时对所述第二半导体晶圆实施所述注入工艺；

将所述第一半导体晶圆转移出所述加热室以用于进一步处理，并且同时将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室；以及

在所述加热室内加热所述第二半导体晶圆。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室还包括：同时将第三半导体晶圆转移至所述注入室。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

对所述第三半导体晶圆实施所述注入工艺，并且同时在所述加热室内加热所述第二半导体晶圆；

将所述第二半导体晶圆转移出所述加热室以用于进一步处理，并且同时将所述第三半导体晶圆转移至所述加热室；以及

在所述加热室内加热所述第三半导体晶圆。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，加热所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆包括：均匀地加热所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，加热所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆包括：将所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆加热至等于室温的温度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入工艺是低温注入工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热室是真空环境。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热室是单个晶圆加热室。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一半导体晶圆转移出所述加热室还包括：将所述第一半导体晶圆转移至装载锁。

10.一种制造半导体晶圆的系统，所述系统包括：

注入室；

第一机械臂和第二机械臂，可操作地连接至所述注入室，所述第一机械臂和所述第二机械臂配置为通过所述系统转移所述半导体晶圆；

注入前冷却室，位于邻近所述注入室的位置；

装载锁，位于邻近所述注入室的位置；

加热室，包括一个或多个加热元件，所述加热元件配置为加热所述半导体晶圆；以及

处理电路，用于执行包括以下步骤的方法：

将第一半导体晶圆转移至所述注入室；

在所述注入室内对所述第一半导体晶圆实施注入工艺；

在对所述第一半导体晶圆实施所述注入工艺之后，通过所述第一机械臂将所述第一半导体晶圆转移至加热室，并且同时通过所述第二机械臂将第二半导体晶圆转移至所述注入室；所述第一机械臂位于所述注入室内并配置成为了将所述第一半导体晶圆从所述注入室转移至所述加热室而能够到达所述加热室，所述注入前冷却室和所述加热室以分别沿着所述注入室的第一侧和第二侧的方式设置于所述注入室外部，所述第一侧与所述第二侧相对；

在所述加热室内加热所述第一半导体晶圆，并且同时对所述第二半导体晶圆实施所述注入工艺；

将所述第一半导体晶圆转移出所述加热室以用于进一步处理，并且同时将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室；及

在所述加热室内加热所述第二半导体晶圆。

11.根据权利要求10所述的系统，其中，将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室还包括：同时将第三半导体晶圆转移至所述注入室。