[发明专利]等离子体化学气相沉积装置在审
| 申请号: | 201410503445.1 | 申请日: | 2014-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN105018899A | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
| 发明(设计)人: | 米山典孝;大泽笃史;坂本拓海;中岛直人 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
| 地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: |
本发明涉及等离子体化学气相沉积装置,可提高电感耦合方式的等离子体化学气相沉积装置的生产率。等离子体化学气相沉积装置包括:腔室;保持搬运部,在腔室内,保持作为处理对象的基板,并沿着搬运路径相对搬运;至少一个电感耦合型天线,以与搬运路径相向的方式设置于腔室内,而且卷绕数小于一圈;高频电力供给部,用于向至少一个电感耦合型天线供给高频电力;以及气体导入部,用于向腔室内导入规定的气体。然后,等离子体化学气相沉积装置在从气体导入部向腔室内导入规定的气体的状态下,从高频电力供给部向至少一个电感耦合型天线供给高频电力来产生等离子体,从而借助保持搬运部沿着搬运路径来搬运基板。 |
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| 搜索关键词: | 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,包括:腔室,保持搬运部,在上述腔室的内部,保持作为处理对象的基板,并沿着搬运路径相对搬运,至少一个电感耦合型天线,以与上述搬运路径相向的方式设置于上述腔室的内部,而且卷绕数小于一圈,高频电力供给部,用于向上述至少一个电感耦合型天线供给高频电力,以及气体导入部,用于向上述腔室的内部导入规定的气体;在从上述气体导入部向上述腔室的内部导入上述规定的气体,并从上述高频电力供给部向上述至少一个电感耦合型天线供给高频电力来产生等离子体的状态下,借助上述保持搬运部沿着上述搬运路径来搬运上述基板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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