[发明专利]等离子体化学气相沉积装置

说明书

技术领域

本发明涉及通过等离子体化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition)在要附着膜的对象物形成薄膜的等离子体化学气相沉积(CVD)装置。

背景技术

作为这种等离子体处理装置，在专利文献1中公开了如下的电感耦合方式的装置：以不环绕的方式终止，并向由短于高频的1/4波长的长度的线状或板状的导体构成的天线供给高频电力，来产生高频电场，并借助该电场产生等离子体，从而在基板面进行薄膜形成等表面处理。该装置在平面形状为矩形的真空容器的四边分别设置多个天线，并通过以并联方式向设置于四边的多个天线供给高频电力，来处理大面积的基板。

现有技术文献

专利文献1：日本特许第3751909号公报

然而，就专利文献1的等离子体处理装置而言，在将处理对象的基板送入真空容器内的工艺和从真空容器送出经处理的基板的工艺中，由于基板未被处理，因而存在使生产率下降的问题。

发明内容

本发明用于解决这种问题，其目的在于，提供能够提高等离子体化学气相沉积装置的生产率的技术。

为了解决上述问题，第一方案的等离子体化学气相沉积装置包括：腔室，保持搬运部，在上述腔室内，保持作为处理对象的基板，并沿着搬运路径相对搬运，至少一个电感耦合型天线，以与上述搬运路径相向的方式设置于上述腔室内，而且卷绕数小于一圈，高频电力供给部，用于向上述至少一个电感耦合型天线供给高频电力，以及气体导入部，用于向上述腔室内导入规定的气体；在从上述气体导入部向上述腔室内导入上述规定的气体，并从上述高频电力供给部向上述至少一个电感耦合型天线供给高频电力来产生等离子体的状态下，借助上述保持搬运部沿着上述搬运路径来搬运上述基板。

第二方案的等离子体化学气相沉积装置根据第一方案的等离子体化学气相沉积装置，具有：与上述搬运路径相向，并沿着上述搬运路径的方向设置于上述腔室内，而且卷绕数小于一圈的至少一个电感耦合型天线；在相对于上述至少一个电感耦合型天线的搬运路径的上游侧和下游侧分别设置分隔部件，上述分隔部件用于将上述腔室内的处理空间分隔为上述搬运路径的上游侧的空间和下游侧的空间。

第三方案的等离子体化学气相沉积装置根据第一方案的等离子体化学气相沉积装置，具有：与上述搬运路径相向，并沿着与上述搬运路径的方向交叉的规定的虚拟轴在上述腔室内排列成一列，而且卷绕数小于一圈的多个电感耦合型天线；使连接上述多个电感耦合型天线各自的两端部而得的线段的中心点配置于上述虚拟轴上，使得上述多个电感耦合型天线沿着上述虚拟轴排列成一列。

第四方案的等离子体化学气相沉积装置根据第三方案的等离子体化学气相沉积装置，沿着上述虚拟轴设置的多个电感耦合型天线各自的两端部配置于上述虚拟轴上。

第五方案的等离子体化学气相沉积装置根据第一方案至第四方案中任一方案的等离子体化学气相沉积装置，还包括至少一个磁场产生部，上述至少一个磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间产生磁场。

第六方案的等离子体化学气相沉积装置根据第五方案的等离子体化学气相沉积装置，具有：与上述搬运路径相向，并沿着与上述搬运路径的方向交叉的规定的虚拟轴在上述腔室内排列成一列，而且卷绕数小于一圈的至少一个电感耦合型天线；具有磁场产生部，上述磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间中的至少一部分空间产生磁场；上述至少一部分空间包括特定空间：该特定空间是指，相对于上述至少一个电感耦合型天线的两端部中的不与另一电感耦合型天线相邻的一端部，位于与另一端部相反的一侧的空间。

第七方案的等离子体化学气相沉积装置根据第五方案的等离子体化学气相沉积装置，具有：以与上述搬运路径相向的方式设置于上述腔室内，而且卷绕数小于一圈的至少一个电感耦合型天线；具有磁场产生部，上述磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间中的至少一部分空间产生磁场；上述至少一部分空间包括位于上述至少一个电感耦合型天线的两端部分之间的空间。

第八方案的等离子体化学气相沉积装置根据第五方案的等离子体化学气相沉积装置，具有：与上述搬运路径相向，并沿着与上述搬运路径的方向交叉的规定的虚拟轴在上述腔室内排列成一列，而且卷绕数小于一圈的多个电感耦合型天线；具有磁场产生部，上述磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间中的至少一部分空间产生磁场；上述至少一部分空间包括位于上述多个电感耦合型天线中的相邻的电感耦合型天线之间的空间。