[发明专利]半导体器件及其形成方法、静态随机存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201410494936.4 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105514159B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;彭坤;赵连国;王峰;王海莲;李磊;呼翔 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法、静态随机存储器的形成方法，晶体管的栅极结构中的绝缘层为两层结构，即氧化硅绝缘层和氮化硅绝缘层，这两层绝缘层的是先干法刻蚀所述氮化硅绝缘层，接着再湿法刻蚀所述氧化硅绝缘层，在湿法刻蚀所述氧化硅绝缘层的过程的同时还可以去除掉干法刻蚀氮化硅绝缘层的过程中所残留的氮化硅颗粒，从而避免了残留的氮化硅颗粒导致栅极结构存在残留缺陷的问题，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、栅电极层、氧化硅绝缘层和氮化硅绝缘层；干法刻蚀所述氮化硅绝缘层，湿法刻蚀所述氧化硅绝缘层，干法刻蚀所述栅电极层以形成多个堆叠结构；在所述多个堆叠结构的侧壁形成侧墙，以形成多个栅极结构，相邻的栅极结构间具有一间隙；在所述栅介质层及所述多个栅极结构上沉积导电层；去除所述栅极结构顶部的导电层；以及对所述间隙下方的半导体衬底进行掺杂，以形成掺杂区。
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