[发明专利]半导体器件及其形成方法、静态随机存储器的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、栅电极层、氧化硅绝缘层和氮化硅绝缘层；

干法刻蚀所述氮化硅绝缘层，湿法刻蚀所述氧化硅绝缘层，干法刻蚀所述栅电极层以形成多个堆叠结构；

在所述多个堆叠结构的侧壁形成侧墙，以形成多个栅极结构，相邻的栅极结构间具有一间隙；

在所述栅介质层及所述多个栅极结构上沉积导电层；

去除所述栅极结构顶部的导电层；以及

对所述间隙下方的半导体衬底进行掺杂，以形成掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀氧化硅绝缘层的步骤中，采用的刻蚀溶液是氢氟酸。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀所述氮化硅绝缘层的步骤中，采用的刻蚀气体是CF₄、CH₂F₂或者He。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀所述栅电极层的步骤中，采用的刻蚀气体是C₂F₆、HBr、Cl₂或者He。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化硅绝缘层的厚度在之间。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氮化硅绝缘层的厚度在之间。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为多晶硅、氧化铟锡中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积的方法沉积所述导电层。

9.一种静态随机存储器的形成方法，其特征在于，采用如权利要求1-8中任一项所述的半导体器件的形成方法。

10.一种半导体器件，利用如权利要求1-8中任一项所述的方法形成，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的多个堆叠结构；

形成于所述多个堆叠结构的侧壁的侧墙，所述侧墙与所述多个堆叠结构形成的多个栅极结构；

相邻的栅极结构间所围成的间隙；

覆盖于所述栅介质层及所述侧墙上的导电层。