[发明专利]一种Ni‑P基板的封装方法

摘要

本发明涉及一种Ni‑P基板的封装方法；属于电子封装技术领域。本发明将5‑20wt％的纳米镍粉与80‑95wt％的助焊剂混合均匀后，涂覆或印刷于Ni‑P基板上，然后再涂覆或印刷锡基焊料，得到待焊基板，然后将待焊基板置于磁场强度梯度为3‑5×104G/m，且基板处磁感应强度为1000‑2000G范围的静磁场中(磁场源在Ni‑P板内侧)，进行回流焊接。本发明大大降低了焊点在服役过程中Ni‑P的消耗速率，同时抑制了金属间化合物的长大，同时还避免了界面金属间化合物的分层或者剥离情况的出现。本发明焊点可靠性更好，且成本低，生产效率高，技术稳定性优良，适用于大规模工业应用。

主权项

一种Ni‑P基板的封装方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一将纳米镍粉和助焊剂混合均匀，得到混合助焊剂，所述混合助焊剂以质量百分比包括：纳米镍粉 5‑20％；助焊剂 80‑95％；步骤二在Ni‑P基板上所设定的封装焊点位置涂覆步骤一所得混合助焊剂；步骤三在步骤二涂覆的混合助焊剂上涂覆锡基焊料，得到待焊基板；步骤四在保护气氛下，将步骤三所得待焊基板置于磁场中进行回流焊接，所述磁场的感应强度梯度为3‑5×104G/m，所述待焊基板处的磁感应强度为1000‑2000G。