[发明专利]一种Ni‑P基板的封装方法

权利要求书

1.一种Ni-P基板的封装方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤一

将纳米镍粉和助焊剂混合均匀，得到混合助焊剂，所述混合助焊剂以质量百分比包括：

纳米镍粉 5-20％；

助焊剂   80-95％；

步骤二

在Ni-P基板上所设定的封装焊点位置涂覆或印刷步骤一所得混合助焊剂；

步骤三

在步骤二涂覆或印刷的混合助焊剂上涂覆或印刷锡基焊料，得到待焊基板；

步骤四

在保护气氛下，将步骤三所得待焊基板置于磁场中进行回流焊接，所述磁场的感应强度梯度为3-5×10⁴G/m，所述待焊基板处的磁感应强度为1000-2000G。

2.根据权利要求1所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：步骤一中所述纳米镍粉的粒度为50-100nm，纯度≥99.99％。

3.根据权利要求1所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：步骤一中所述助焊剂选自卫特斯NC-559-ASM RMA-223-UV无铅焊油助焊剂、美国Burnley DM-200型免清洗助焊剂、美国AMTECH NC-559-ASM免洗型助焊剂、强力牌QL-N991助焊剂、特偶WTO GW 9810A型助焊剂、倍思特BST-223A环保BGA无铅助焊剂、阿尔法无铅助焊剂中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：所述助焊剂为美国Burnley DM-200型免清洗助焊剂。

5.根据权利要求1所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：步骤二中，所述混合助焊剂的涂覆或印刷厚度为10-30μm。

6.根据权利要求1所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：按BGA焊点的设定方式在Ni-P基板上设定封装焊点的位置。

7.根据权利要求1所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：步骤三中，锡基焊料的涂覆或印刷厚度为200-500μm。

8.根据权利要求1所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：步骤三中，所述锡基焊料选自Sn-Ag系焊料、Sn-Bi系焊料中的一种。

9.根据权利要求1所述的一种Ni-P基板的封装方法；其特征在于：步骤四中，进行回流焊接时，先升温至160-180℃，并保温5-15s后，继续升温至240-260℃，保温90-150s后，以8-10℃/s冷却速度冷却至室温。