[发明专利]用于静电防护的半导体结构在审
| 申请号： | 201410469877.5 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105489641A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 柯钧钟;吴志伦;林硕彦 | 申请（专利权）人： | 台湾类比科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于静电防护的半导体结构，其中，半导体结构设置于集成电路上，该集成电路包含设置于该集成电路的外围的封环，金属环设置于该封环的内侧，以及电源汇流排设置于该金属环的一侧，该半导体结构包含第一N型电极区，第二N型电极区，以及第一P型电极区。该第一N型电极区形成于P型井上相对应于该封环的位置，且耦接至该封环。该第二N型电极区形成于该P型井上相对应于该电源汇流排的位置，且耦接至该电源汇流排。该第一P型电极区形成于该P型井上相对应于该金属环的位置，且耦接至该金属环；通过上述方式，本发明的半导体结构节省集成电路的空间及改善集成电路的静电防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 防护 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种用于静电防护的半导体结构，其特征在于，该半导体结构设置于集成电路上，该集成电路包含设置于该集成电路的外围的封环(seal ring)，金属环设置于该封环的内侧，以及电源汇流排设置于该金属环的一侧，该半导体结构包含：第一N型电极区，形成于P型井上相对应于该封环的位置，且耦接至该封环；第二N型电极区，形成于该P型井上相对应于该电源汇流排的位置，且耦接至该电源汇流排；第一P型电极区，形成于该P型井上相对应于该金属环的位置，且耦接至该金属环；其中该封环及该电源汇流排耦接至电压源，该金属环耦接至接地端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾类比科技股份有限公司，未经台湾类比科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410469877.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
