[发明专利]用于静电防护的半导体结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于静电防护的半导体结构，特别是涉及一种可节 省集成电路空间并改善静电防护能力的半导体结构。

背景技术

静电防护长久以来都是电子产业与半导体产业重要的课题之一。静 电放电常会造成电子产品损坏。随着半导体工艺的进步，集成电路及其 元件的尺寸越来越小，相对地集成电路也越容易受到静电的破坏。为了 防止集成电路受到静电的破坏，现有技术的集成电路包含静电防护电 路，用以当接收到静电时将静电迅速导引至接地端。然而，在现有技术 的集成电路中，静电防护电路会占据集成电路一定的空间，进而增加集 成电路设计上的困难，再者，为了节省空间，静电防护电路会设置在集 成电路中的特定位置上，而集成电路离静电防护电路较远的元件将无法 有效地受到静电防护电路的保护。

发明内容

本发明提供一种可节省集成电路空间并改善静电防护能力的半导 体结构，以解决上述问题。

本发明用于静电防护的半导体结构设置于集成电路上，该集成电路 包含设置于该集成电路的外围的封环(sealring)，金属环设置于该封环的 内侧，以及电源汇流排设置于该金属环的一侧，该半导体结构包含第一 N型电极区，第二N型电极区，以及第一P型电极区。该第一N型电 极区形成于P型井上相对应于该封环的位置，且耦接至该封环。该第二 N型电极区形成于该P型井上相对应于该电源汇流排的位置，且耦接至 该电源汇流排。该第一P型电极区形成于相对应于该金属环的位置，且 耦接至该金属环。其中该封环及该电源汇流排耦接至电压源，该金属环 系耦接至接地端。

本发明的有益效果是：相比较于先前技术，本发明用于静电防护的 半导体结构设置于集成电路外围的封环、金属环及电源汇流排的相对应 位置，而不需另外占据集成电路的空间，进而节省集成电路的空间。再 者，由于本发明用于静电防护的半导体结构系环绕于集成电路的外围， 因此集成电路的各个元件可受到附近的半导体结构的静电保护，进而改 善集成电路的静电防护能力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描 述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图 仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出 创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本发明集成电路配置的示意图；

图2是本发明用于静电防护的半导体结构对应于图1的A-A剖面线 的剖面图；

图3是本发明用于静电防护的半导体结构对应于图1的A-A剖面线 的另一剖面图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案 进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实 施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人 员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本 发明保护的范围。

请同时参考图1及图2，图1是本发明集成电路配置的示意图，图 2是本发明用于静电防护的半导体结构对应于图1的A-A剖面线的剖面 图。如图1所示，本发明集成电路10包含封环12，金属环14，以及至 少一个电源汇流排16。封环12设置于集成电路10的外围，用以屏蔽电 磁波。金属环14设置于封环12的内侧。电源汇流排16设置于金属环 14的内侧，用以提供电源至集成电路10的元件。如图2所示，封环12、 金属环14以及电源汇流排16形成于集成电路10的金属层M1，而集成 电路10可还包含其他金属层M2、M3设置于金属层M1的上方，以形 成其他元件。本发明用于静电防护的半导体结构100包含第一N型电极 区110，第二N型电极区120，以及第一P型电极区130。第一N型电 极区110形成于P型井20上相对应于封环12的位置，且耦接至封环12。 第二N型电极区120形成于P型井20上相对应于电源汇流排16的位置， 且耦接至电源汇流排16。第一P型电极区130形成于P型井20上相对 应于金属环14的位置，且耦接至金属环14。其中电源汇流排16耦接至 电压源VDD1，金属环14耦接至接地端GND，而封环12可以透过上方 的金属层M2耦接至电源汇流排16，以使封环12和电源汇流排16具有 相同的电压位准。