[发明专利]用于静电防护的半导体结构在审
| 申请号： | 201410469877.5 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105489641A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 柯钧钟;吴志伦;林硕彦 | 申请（专利权）人： | 台湾类比科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 静电 防护 半导体 结构 | ||
1.一种用于静电防护的半导体结构，其特征在于，该半导体结构设 置于集成电路上，该集成电路包含设置于该集成电路的外围的封环(seal ring)，金属环设置于该封环的内侧，以及电源汇流排设置于该金属环的 一侧，该半导体结构包含：
第一N型电极区，形成于P型井上相对应于该封环的位置，且耦接 至该封环；
第二N型电极区，形成于该P型井上相对应于该电源汇流排的位置， 且耦接至该电源汇流排；
第一P型电极区，形成于该P型井上相对应于该金属环的位置，且 耦接至该金属环；
其中该封环及该电源汇流排耦接至电压源，该金属环耦接至接地 端。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一N型 电极区、该第二N型电极区及该第一P型电极区之间被多个绝缘区所隔 开。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该多个绝缘区 为场效氧化(FieldOxide,FOX)区。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该半导体结构 还包含：
第一N型井，其中该第一N型电极区的中间部分形成于该第一N 型井上，且该第一N型电极区的外围部分形成于该P型井上；
第二N型井，其中该第二N型电极区的中间部分形成于该第二N 型井上，且该第二N型电极区的外围部分形成于该P型井上。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该半导体结构 还包含：
第一N型掺杂区，形成于该第一N型电极区及该P型井之间，且 该第一N型掺杂区的掺杂浓度较第一N型电极区的掺杂浓度低；
第二N型掺杂区，形成于该第二N型电极区及该P型井之间，且 该第二N型掺杂区的掺杂浓度较第二N型电极区的掺杂浓度低。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该金属环设置 于该封环及该电源汇流排之间。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该集成电路还 包含金属层，设置于该封环、该金属环及该电源汇流排上方，用以耦接 该封环及该电源汇流排。
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