[发明专利]贴合器件的制造装置及制造方法有效
申请号: | 201410462532.7 | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN104465454B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 横田道也 | 申请(专利权)人: | 信越工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 吕晓阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种贴合器件的制造装置及制造方法。一对基板在减压至第二真空度的变压室内重叠后,使一方吸盘对一方基板的吸引压力从第一真空度向第二真空度上升,从而一方吸盘的吸引压力和变压室的内压成为均等的第二真空度,所以来自一方吸盘的吸盘面的压力差的对一方基板的真空吸附被解除。然后使变压室的内压和一方吸盘的吸引压力从第二真空度上升到第三真空度,从而利用变压室内的第三真空度与基板间的第二真空度的密封空间的压力差使未硬化密封材料压缩变形,一方基板的表面脱离一方吸盘的吸盘面。然后使变压室的内压和一方吸盘的吸引压力从第三真空度上升到大气压,从而基板借助压力差以所需间隙贴合。 | ||
搜索关键词: | 贴合 器件 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种贴合器件的制造装置,在已减压的变压室内使一对基板重叠,在上述一对基板之间形成由未硬化的密封材料包围的密封空间,利用上述变压室的大气开放后的内压与上述密封空间之间产生的压力差,对上述一对基板整体均匀地加压、使其以预定的间隙贴合;上述贴合器件的制造装置的特征在于,具有:上述变压室,在上述变压室内收容着自由出入的上述一对基板;一对吸盘,在上述变压室内,以上述一对基板夹入上述密封材料的方式,以第一真空度分别自由装卸地吸附保持上述一对基板;驱动机构,在已减压至比上述第一真空度真空度低的第二真空度的上述变压室内,使上述一对吸盘在Z方向相对地接近移动而使上述一对基板重叠;第一吸引压调节机构,对上述一对吸盘的任一方的吸引压力进行压力调节;第二吸引压调节机构,对上述一对吸盘的另一方的吸引压力进行压力调节;室压调节机构,将上述变压室的内压从大气环境压力调节到预定的真空压;以及控制部,分别对上述驱动机构、上述第一吸引压调节机构、上述第二吸引压调节机构和上述室压调节机构进行动作控制;上述控制部进行如下控制:利用上述驱动机构使上述一对基板在上述第二真空度的上述变压室内重叠,在上述一对基板之间形成由未硬化的上述密封材料包围的上述密封空间,然后,利用上述第一吸引压调节机构,使上述一对吸盘的任一方的吸引压力从上述重叠时的上述第一真空度向比其真空度低且与上述变压室的内压均等的上述第二真空度上升,然后,利用上述第一吸引压调节机构和上述室压调节机构,使上述一对吸盘的任一方的吸引压力和上述变压室的内压从上述第二真空度分别上升到比其真空度低且相比大气压为负压的第三真空度,然后,将上述第三真空度保持预定时间,利用与上述一对基板间的上述密封空间的压力差使未硬化的上述密封材料压缩变形以使上述一对基板的一方离开上述一对吸盘的任一方的吸盘面,在上述一对基板的一方离开了上述一对吸盘的一方的吸盘面后,使上述一对吸盘的任一方的吸引压力和上述变压室的内压从上述第三真空度上升到大气压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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