[发明专利]一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法在审
| 申请号： | 201410452957.X | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104241464A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法。该方法在生长LED的P型时，在气体总流量不变的情况下，较常规方式增大载气(H2)与氨气的流量比至9.5-10.5，可以减少Mg-H键数量，即Mg的掺杂浓度会上升，增大P层的空穴浓度，同时减少N-H键和C掺杂量，最终提升器件的光电转换效率。与通常在生长完P型氮化镓后进行退火相比，该方法可以更有效的活化Mg掺杂。同时，可以降低P层氮化镓的接触电阻，提高器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 掺杂 浓度 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法，包括：在生长掺杂镁的P型AlGaN层后，生长掺镁的GaN层，最后氮气氛围下退火；其特征在于：生长掺镁的GaN层时，通入的载气H2与氨气的流量比为9.5‑10.5。
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