[发明专利]一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法在审
| 申请号： | 201410452957.X | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104241464A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 掺杂 浓度 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法，包括：在生长掺杂镁的P型AlGaN层后，生长掺镁的GaN层，最后氮气氛围下退火；其特征在于：生长掺镁的GaN层时，通入的载气H2与氨气的流量比为9.5-10.5。
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
(1)在蓝宝石衬底上生长低温GaN层；
(2)生长高温GaN层；
(3)生长高温GaN掺杂硅烷n型层；
(4)生长掺硅烷的n型AlGaN层；
(5)生长若干周期的GaN/InGaN量子阱层；
(6)生长掺杂镁的P型AlGaN层；
(7)生长一层掺镁的GaN层，厚度为200nm，该步骤中载气H2与氨气的流量比为9.5-10.5；
(8)在氮气氛围下，700-800℃退火20分钟。
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