[发明专利]晶圆级传递模塑及其实施装置有效
申请号: | 201410445854.0 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN105206538B | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 张博平;林勇志;黄见翎;刘重希;陈孟泽;郑明达;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种方法,包括将封装结构置于包封模具内,使得封装结构中的器件管芯的顶面接触包封模具中的离型膜。通过注入端口,将模塑料注入至包封模具的内部空间内,注入端口位于包封模具的一侧。在注入模塑料期间,通过包封模具的第一排气端口和第二排气端口实施排气步骤。第一排气端口具有第一流速,而第二排气端口具有不同于第一流速的第二流速。本发明涉及晶圆级传递模塑及其实施装置。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 传递 及其 实施 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆级传递模塑的方法,包括:将封装结构置于包封模具内,所述封装结构中的器件管芯的顶面接触所述包封模具中的离型膜;通过注入端口,将模塑料注入至所述包封模具的内部空间内,所述注入端口位于所述包封模具的第一侧;以及在注入所述模塑料期间,通过所述包封模具的第一排气端口和第二排气端口来排气,所述第一排气端口具有第一流速,而所述第二排气端口具有不同于所述第一流速的第二流速,其中,所述包封模具还包括附加排气端口,所述附加排气端口和所述注入端口分别位于所述包封模具的直径的相对两侧,所述第一排气端口比所述第二排气端口距离所述注入端口更远,并且所述第一流速高于所述第二流速。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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