[发明专利]晶圆级传递模塑及其实施装置有效
申请号: | 201410445854.0 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN105206538B | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 张博平;林勇志;黄见翎;刘重希;陈孟泽;郑明达;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 传递 及其 实施 装置 | ||
相关申请的交叉应用
本申请是以下共同转让的美国专利申请(专利申请序列号为13/411,293,2012年3月2日提交,并且标题为“Wafer-Level Underfill and Over-Molding”)的部分继续申请。
技术领域
本发明涉及晶圆级传递模塑及其实施装置。
背景技术
在集成电路的封装中,通常通过倒装芯片接合来堆叠封装部件(诸如,器件管芯和封装衬底)。为了保护堆叠的封装部件,将模塑料设置在器件管芯周围。
传统的模塑方法包括压缩模塑和传递模塑。压缩模塑可用于二次成型(ove-rmolding)。因为压缩模塑不能用于填充堆叠的管芯之间的间隙,所以需要在不同于压缩模塑的步骤中分配底部填充物。另一方面,传递模塑可用于将模塑底部填充物填充在堆叠的封装部件之间和上方。因此,传递模塑可用于在同一步骤中分配底部填充物和模塑料。然而,由于模塑料的不均匀分配,传递模塑不能用于包括圆形晶圆的封装件。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种方法,包括:将封装结构置于包封模具内,所述封装结构中的器件管芯的顶面接触所述包封模具中的离型膜;通过注入端口,将模塑料注入至所述包封模具的内部空间内,所述注入端口位于所述包封模具的第一侧;以及在注入所述模塑料期间,通过所述包封模具的第一排气端口和第二排气端口来排气,所述第一排气端口具有第一流速,而所述第二排气端口具有不同于所述第一流速的第二流速。
在上述方法中,所述第一排气端口比所述第二排气端口距离所述注入端口更远,并且所述第一流速高于所述第二流速。
在上述方法中,所述第一排气端口和所述第二排气端口都连接至同一真空环境,并且所述第一排气端口的第一尺寸不同于所述第二排气端口的第二尺寸。
在上述方法中,还包括:位于所述包封模具上的多个排气端口,其中,所述多个排气端口随着从所述多个排气端口至所述注入端口的相应距离的减小而不断变小。
在上述方法中,由第一阀门控制通过所述第一排气端口的排气,而由第二阀门的控制通过所述第二排气端口的排气,并且所述第一阀门和所述第二阀门分别控制所述第一流速和所述第二流速。
在上述方法中,所述第一排气端口比所述第二排气端口距离所述注入端口更远,并且所述第一阀门和所述第二阀门将所述第一流速控制为大于所述第二流速。
在上述方法中,所述第一阀门和所述第二阀门分别将所述第一排气端口和所述第二排气端口连接至同一真空腔室。
根据本发明的另一方面,还提供了一种方法,包括:将封装结构置于包封模具的内部空间内,所述封装结构中的器件管芯的顶面接触所述包封模具中的离型膜,其中,所述包封模具包括:注入端口;和具有不同尺寸的第一排气端口和第二排气端口;将所述封装结构和所述包封模具置于腔室中,其中,所述第一排气端口和所述第二排气端口的每个将所述内部空间互连至所述腔室的位于所述包封模具外部的部分;将所述腔室抽真空;以及通过所述注入端口,将模塑料注入至所述包封模具的内部空间内。
在上述方法中,还包括:将离型膜置于所述包封模具的内部空间中,使得所述封装结构的器件管芯的顶面接触所述离型膜。
在上述方法中,所述第一排气端口的第一尺寸大于所述第二排气端口的第二尺寸,并且所述第一排气端口比所述第二排气端口距离所述注入端口更远。
在上述方法中,所述包封模具具有圆形形状,所述第一排气端口和所述注入端口位于所述包封模具的直径的相对两侧,并且所述第一排气端口在所述包封模具的所有排气端口中具有最大尺寸。
在上述方法中,还包括:在注入所述模塑料后,对所述模塑料进行固化;以及从所述包封模具中去除包括所述封装结构和所述模塑料的封装件。
在上述方法中,所述封装结构包括:晶圆;以及多个管芯,位于所述晶圆上方并且接合至所述晶圆,其中,在注入所述模塑料过程中,所述模塑料从所述晶圆的一侧流至所述晶圆的相对侧。
在上述方法中,没有泵和阀门连接至所述第一排气端口和所述第二排气端口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造