[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，包括具有掩埋栅电极的微制造晶体管。在该半导体器件中，栅电极形成在衬底上，在与器件形成区的第一边平行的方向上延伸。栅电极跨器件形成区定位。多个掩埋栅电极掩埋在衬底的器件形成区中，并且在平面图上，栅电极与它们部分重叠。掩埋栅电极相对于器件形成区的第一边倾斜地延伸并且彼此平行。在各个掩埋栅电极中，与第一边相对的第一端部和与器件形成区的第二端部相对的第二端部都平行于第一边。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括矩形器件形成区，所述矩形器件形成区具有第一边、与所述第一边相对的第二边、第三边和第四边；器件分离区，所述器件分离区形成在所述衬底中并且环绕所述器件形成区；多个掩埋栅电极，所述多个掩埋栅电极被掩埋在所述衬底的所述器件形成区中，并且在平面图中彼此平行并且相对于所述第一边倾斜地延伸；以及两个杂质层，所述两个杂质层形成在所述衬底的所述器件形成区中并且在平行于所述第三边的方向上彼此分隔开，并且在所述掩埋栅电极处于所述两个杂质层之间的情况下彼此相对，其中，在所述掩埋栅电极中，与所述第一边相对的第一端部和与所述第二边相对的第二端部都平行于所述第一边。