[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201410442827.8 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104425619A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 池田昌弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底包括矩形器件形成区，所述矩形器件形成区具有第一边、与所述第一边相对的第二边、第三边和第四边；
器件分离区，所述器件分离区形成在所述衬底中并且环绕所述器件形成区；
多个掩埋栅电极，所述多个掩埋栅电极被掩埋在所述衬底的所述器件形成区中，并且在平面图中彼此平行并且相对于所述第一边倾斜地延伸；以及
两个杂质层，所述两个杂质层形成在所述衬底的所述器件形成区中并且在平行于所述第三边的方向上彼此分隔开，并且在所述掩埋栅电极处于所述两个杂质层之间的情况下彼此相对，
其中，在所述掩埋栅电极中，与所述第一边相对的第一端部和与所述第二边相对的第二端部都平行于所述第一边。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，在平面图中，在所述掩埋栅电极当中的最靠近所述第三边定位的第一掩埋栅电极中，最靠近所述第三边定位的边平行于所述第三边，并且
其中，在平面图中，在所述掩埋栅电极当中的最靠近所述第四边定位的第二掩埋栅电极中，与所述第四边相对的边平行于所述第四边。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第一掩埋栅电极和所述第二掩埋栅电极是三角形。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第一掩埋栅电极和所述第二掩埋栅电极是梯形。
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