[发明专利]一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410436426.1 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105374911B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李宗涛;李宏浩;吴灿标;丁鑫锐 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法，包括以下步骤：步骤1：制备厚度在0.4‑1mm之间的至少具有一面线路的基板；步骤2：将至少一个LED芯片安装在基板线路上；步骤3：将基板进行减薄；步骤4：利用金属化工艺在减薄的基板底面制备出对应的电极；步骤5：对该LED芯片进行封装；步骤6：对基板进行切割，分离出单个LED器件。本发明还提供了一种新型薄膜衬底LED器件，包括基板、LED芯片和封装胶体；所述基板上设有两个电极通孔，所述两电极通孔上分别设有相互绝缘的第一导电层；所述两电极通孔下方分别设有相互绝缘的第二导电层；所述LED芯片的正负电极分别安装在两相邻的第一导电层上；所述封装胶体包裹在LED芯片的四周。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 薄膜 衬底 led 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：制备厚度在0.4‑1mm之间且至少具有一面线路的基板；步骤2：将至少一个LED芯片安装在基板的线路上；步骤3：将基板进行减薄，形成厚度为0.1‑0.2mm的基板；步骤4：利用金属化工艺在减薄的基板底面制备出对应的电极；步骤5：对该LED芯片进行封装；步骤6：对基板进行切割，分离出单个LED器件。
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