[发明专利]一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法

权利要求书

1.一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：制备厚度在0.4-1mm之间且至少具有一面线路的基板；

步骤2：将至少一个LED芯片安装在基板的线路上；

步骤3：将基板进行减薄，形成厚度为0.1-0.2mm的基板；

步骤4：利用金属化工艺在减薄的基板底面制备出对应的电极；

步骤5：对该LED芯片进行封装；

步骤6：对基板进行切割，分离出单个LED器件。

2.根据权利要求1所述新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：所述基板为陶瓷或硅；在步骤3中，通过一金刚石砂轮对该基板进行减薄，直至基板厚度为0.1-0.2mm。

3.根据权利要求1所述新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：在步骤1中，先在基板上钻设至少两个电极通孔；接着在每个电极通孔上方，通孔以外的区域铺设第一导电层，相邻两第一导电层相互绝缘，形成至少具有一面线路的基板；

在步骤2中，将至少一个LED芯片的正负引脚分别安装在两相邻的第一导电层上；

在步骤4中，在基板底面的每个电极通孔下方利用金属化工艺在减薄的基板底面制备出对应的电极，并对电极通孔进行金属填充，形成第二导电层，相邻两第二导电层电极相互绝缘。

4.根据权利要求3所述新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：在步骤4中，先通过光刻工艺对电极以外的区域进行胶体覆盖，暴露出电极与电极通孔，利用电镀或蒸镀，或溅射工艺对基板的底部和电极通孔进行金属化形成第二导电层与导电电极通孔；

该基板底部形成的第二导电层通过该金属化的电极通孔与第一导电层实现电连接。

5.根据权利要求1所述新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：在步骤5时，通过在基板上涂覆封装胶体，该封装胶体包裹每个LED芯片的四周。

6.根据权利要求5所述新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：所述封装胶体为环氧树脂或硅胶或硅树脂，且该封装胶体内混合有散射颗粒、红色荧光粉、黄色荧光粉、绿色荧光粉中的一种或几种。

7.根据权利要求6所述新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：在对每个LED芯片完成胶体的封装后，在相邻两个所述LED芯片之间分别设置一切割位标志，且该切割位标志位于基板边缘处。

8.根据权利要求7所述新型薄膜衬底LED器件的制造方法，其特征在于：在步骤2中，基板上设置有多个LED芯片，相邻两个LED芯片的间距设置为0.3-1.0mm，此间距等于2倍芯片侧面荧光粉厚度加上切割位标志宽度。

9.一种新型薄膜衬底LED器件，其特征在于：该新型薄膜衬底LED器件由权利要求1～8任一项所述的制造方法制得，其包括基板、LED芯片和封装胶体；

所述基板上设有两个电极通孔，所述两电极通孔的上方分别设置相互绝缘的第一导电层；所述电极通孔的下方分别设置相互绝缘的第二导电层；两第一导电层分别通过电极通孔与两第二导电层电连接；所述基板厚度为0.1-0.2mm，所述基板的宽度为0.3～1.0mm；

所述LED芯片的正负引脚分别安装在两相邻的第一导电层上；

所述封装胶体包裹在LED芯片的四周。

10.根据权利要求9所述新型薄膜衬底LED器件，其特征在于：所述LED芯片外围的封装胶体的包裹厚度为0.1-0.3mm。