[发明专利]一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法，包括以下步骤：步骤1：制备厚度在0.4‑1mm之间的至少具有一面线路的基板；步骤2：将至少一个LED芯片安装在基板线路上；步骤3：将基板进行减薄；步骤4：利用金属化工艺在减薄的基板底面制备出对应的电极；步骤5：对该LED芯片进行封装；步骤6：对基板进行切割，分离出单个LED器件。本发明还提供了一种新型薄膜衬底LED器件，包括基板、LED芯片和封装胶体；所述基板上设有两个电极通孔，所述两电极通孔上分别设有相互绝缘的第一导电层；所述两电极通孔下方分别设有相互绝缘的第二导电层；所述LED芯片的正负电极分别安装在两相邻的第一导电层上；所述封装胶体包裹在LED芯片的四周。

技术领域

本发明涉及一种LED器件的制造方法，特别是一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法；本发明还涉及一种新型薄膜衬底LED器件。

背景技术

随着电子集成度越来越高，大功率LED器件的小型化是未来LED封装的必然趋势。芯片尺寸封装CSP(chip scale package)是近些年最新提出来的封装形式，CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，相比传统封装体积减小了一倍以上。从而可使封装密度得到大大提高，器件的生产效率也明显提升。在此基础上，可使封装材料的成本得到有效控制。

但如此小的大功率器件封装面临着三个主要的技术瓶颈：1、封装集成度高，功率密度大，散热问题是CSP器件封装首先要考虑的技术问题；2、CSP器件厚度薄，无论是基板制造、芯片键合、荧光粉涂覆均需要严格控制尺度精准，制造难度大；3、CSP器件尺寸非常小，极易造成基板碎裂等失效的产生。

现有技术中，LED用封装陶瓷基板通常采用的是LTCC(低温共烧)或HTCC(高温共烧)技术，是利用氧化铝或氮化铝高纯度粉末在烧结成形。然而。此种技术工艺最薄的基板只能制备0.2mm厚度，但此厚度的板在实际生产中很难使用，极易破碎。而常见的基板厚度需要在0.4mm左右，因此现有技术难以满足基板厚度的要求。

而且，由于CSP器件尺寸非常小，极易造成基板碎裂等失效问题的产生，由于传统CSP器件均是先制备薄膜基板，再进行管芯安放的步骤。而在管芯安放的过程中，一般通过锡膏对LED芯片的引脚与陶瓷基板上的导电层进行焊接。而焊接过程中对陶瓷基板的冲击力很大，如果陶瓷基板过薄，很容易造成基板断裂等现象。

发明内容

本发明在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法。

本发明是通过以下的技术方案实现的：一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤1：制备厚度在0.5-1mm之间的基板；

步骤2：将LED芯片的正负引脚分别安装在基板上；

步骤3：将基板进行减薄；

步骤4：利用金属化工艺在减薄的基板底面制备出对应的电极；

步骤5：对该LED芯片进行封装；

步骤6：对基板进行切割，分离出单个LED器件。

相比于现有技术，本发明采用先在常规陶瓷基板上安放管芯，然后进行基板剪薄处理，不会产生由于基板过薄而导致安放管芯的过程中冲击基板使其断裂，避免了由于传统CSP器件均是先制备薄膜基板，再进行管芯安放的步骤，而造成基板断裂的现象。

其次，本发明先对LED进行封装，再对基板进行切割处理，分离成单个LED的制造方法，可以精确控制LED芯片周围荧光粉的厚度，便于工业生产。

作为本发明的进一步改进，所述基板为陶瓷或硅；在步骤3中，通过一金刚石砂轮对该基板进行减薄，直至基板厚度为0.1-0.2mm。