[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸，多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开，当从平面图看时，该接触垫在第一方向上延伸以交叠多个互连和有源区。下接触插塞将接触垫电连接到有源区。上接触插塞将接触垫电连接到多个互连之一。

主权项

1.一种半导体器件，包括:基板，包括由器件隔离层限定的有源区；栅电极，在第一方向上在所述有源区之上延伸；多个互连，在垂直于所述第一方向的第二方向上在所述栅电极之上延伸，当从平面图看时，在所述第二方向上延伸的所述多个互连交叠所述栅电极；设置在所述栅电极和所述多个互连之间并与所述栅电极和所述多个互连间隔开的接触垫，当从平面图看时，所述接触垫在所述第一方向上延伸以交叠所述多个互连和所述有源区；下接触插塞，将所述接触垫电连接到所述有源区；和上接触插塞，将所述接触垫电连接到所述多个互连之一。