[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括:

基板，包括由器件隔离层限定的有源区；

栅电极，在第一方向上在所述有源区之上延伸；

多个互连，在垂直于所述第一方向的第二方向上在所述栅电极之上延伸，当从平面图看时，在所述第二方向上延伸的所述多个互连交叠所述栅电极；

设置在所述栅电极和所述多个互连之间并与所述栅电极和所述多个互连间隔开的接触垫，当从平面图看时，所述接触垫在所述第一方向上延伸以交叠所述多个互连和所述有源区；

下接触插塞，将所述接触垫电连接到所述有源区；和

上接触插塞，将所述接触垫电连接到所述多个互连之一。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述接触垫在所述第一方向上的长度大于所述有源区在所述第一方向上的宽度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上接触插塞与所述下接触插塞在所述第一方向上横向地间隔开。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述接触垫在所述第二方向上的宽度大于所述下接触插塞在所述第二方向上的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中当从平面图看时，所述多个互连的每个交叠所述器件隔离层。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中当从平面图看时，所述多个互连之一交叠所述有源区在所述第二方向上延伸的边缘。

7.一种半导体器件，包括：

基板，包括单元阵列区和外围电路区；

单元阵列结构，在所述单元阵列区之上的所述基板上方延伸到第一高度；

外围逻辑结构，在所述外围电路区之上的所述基板上方延伸到小于所述第一高度的第二高度；

多个平行互连，延伸在所述外围逻辑结构和所述单元阵列结构之上；

设置在所述外围逻辑结构的顶表面和所述多个互连的底表面之间的接触垫，当从平面图看时，该接触垫与部分的所述外围逻辑结构和部分的所述多个互连交叠；

下接触插塞，将所述外围逻辑结构电连接到所述接触垫；和

上接触插塞，将所述接触垫电连接到所述多个互连之一，

其中所述上接触插塞与所述下接触插塞在第一方向上横向地间隔开。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述单元阵列结构包括多个层叠电极和穿透所述多个层叠电极的垂直结构。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述接触垫的底表面设置在所述垂直结构的顶表面的高度与所述外围逻辑结构的顶表面的高度之间。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述接触垫的顶表面与所述垂直结构的顶表面共面。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述基板包括在所述外围电路区中限定有源区的器件隔离层，和

其中所述外围电路区包括∶

晶体管栅极信号线，在所述第一方向上在所述有源区之上延伸；和

源极区和漏极区，形成在所述晶体管栅极信号线的相反侧上的所述有源区中，

其中所述下接触插塞连接到所述源极区或所述漏极区。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述多个互连在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中所述接触垫在所述第一方向上延伸，和

其中所述接触垫在所述第一方向上的长度大于所述有源区在所述第一方向上的宽度。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中当从平面图看时，所述多个互连交叠所述有源区。