[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410426979.9 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104795398B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L21/3213;H01L27/11519;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L21/308;H01L21/306;H01L21/311;H01L27/11565 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括：有源层带及绝缘层带交错的多个叠层，绝缘层带具有等效氧化层厚度，使这些叠层通过交错的有源层带及绝缘层带具有非简单空间周期；多个导线，正交排列于这些叠层上且具有与这些叠层共形的表面，这些导线在这些导线及有源层带的侧表面交界处定义接口区间的一多层阵列；以及存储元件，位于接口区间中，接口区间建立可通过有源层带及这些导线存取的存储单元的三维阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 叠层 源层 存储器装置 交错 等效氧化层 存储单元 存储元件 定义接口 空间周期 三维阵列 正交排列 侧表面 交界处 多层 共形 存取 制造 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：有源层带及绝缘层带交错的多个叠层，绝缘层带具有等效氧化层厚度，使这些叠层通过交错的有源层带及绝缘层带具有非简单空间周期；多个导线，正交排列于这些叠层上且具有与这些叠层共形的表面，这些导线在这些导线及有源层带的侧表面交界处定义接口区间的一多层阵列；以及存储元件，位于接口区间中，接口区间建立可通过有源层带及这些导线存取的存储单元的三维阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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