[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

有源层带及绝缘层带交错的多个叠层，绝缘层带具有等效氧化层厚度，使这些叠层通过交错的有源层带及绝缘层带具有非简单空间周期；

多个导线，正交排列于这些叠层上且具有与这些叠层共形的表面，这些导线在这些导线及有源层带的侧表面交界处定义接口区间的一多层阵列；以及

存储元件，位于接口区间中，接口区间建立可通过有源层带及这些导线存取的存储单元的三维阵列。

2.根据权利要求1所述的装置，其中这些叠层内的绝缘层带包括一第一组层带及一第二组层带，该第一组层带具有一第一等效氧化物厚度，该第二组层带具有一第二等效氧化物厚度，该第二等效氧化物厚度大于该第一等效氧化物厚度。

3.根据权利要求2所述的装置，其中该叠层中的绝缘层带的厚度在该第一等效氧化物厚度及该第二等效氧化物厚度之间交错。

4.根据权利要求3所述的装置，包括耦接于存储单元的三维阵列的一电路系统，以及对应特定多位地址的一组存储单元，该组存储单元包括设置在绝缘层带之间的存储单元，绝缘层带的厚度在该第一等效氧化物厚度及该第二等效氧化物厚度之间交替，该电路系统配置用于：

接收编程指令以于存储单元组内储存数据，以及在组内的存储单元执行编程操作；

接收读取指令以于存储单元组内读取数据，以及在组内的存储单元执行读取操作；以及

接收擦除指令以于存储单元组内擦除数据，以及在组内的存储单元执行擦除操作。

5.根据权利要求2所述的装置，其中该第二等效氧化物厚度与该第一等效氧化物厚度的比值介于1.2-3。

6.根据权利要求2所述的装置，其中该第一等效氧化物厚度介于15-30nm。

7.根据权利要求2所述的装置，其中该第二等效氧化物厚度介于25-50nm。

8.根据权利要求1所述的装置，这些叠层内的有源层带包括一第一有源层带及一第二有源层带，其中该第一有源层带或该第二有源层带的厚度介于15-30nm。

9.根据权利要求2所述的装置，包括位于该叠层上的一顶端绝缘层，该顶端绝缘层具有一第三等效氧化物厚度，该第三等效氧化物厚度大于该第二等效氧化物厚度。

10.根据权利要求1所述的装置，包括：

有源层及绝缘层交错的一叠层，有源层具有等效氧化物厚度，使该叠层通过交错的有源层及绝缘层具有非简单空间周期，其中该叠层包括有源层及绝缘层交错的多个次叠层，该叠层内的这些次叠层各包括位于一第一有源层及一第二有源层之间的一第一绝缘层，以及位于该第二有源层之下的一第二绝缘层，该第二绝缘层的一第二等效氧化物厚度大于该第一绝缘层的一第一等效氧化物厚度；以及

多个第一层间连接器及多个第二层间连接器，这些第一层间连接器位于有源层与绝缘层交错的该叠层内，且停止于这些次叠层内对应的各该第一有源层，这些第二层间连接器位于有源层与绝缘层交错的该叠层内，且停止于这些次叠层内对应的各该第二有源层。

11.根据权利要求10所述的装置，包括：

一顶端绝缘层，位于该叠层上，并定义用以形成这些第一连接器及这些第二连接器的多个接点位置，其中该顶端绝缘层具有大于该第二等效氧化层厚度的一第三等效氧化层厚度。

12.根据权利要求10所述的装置，其中这些第一层间连接器及这些第二层间连接器中的层间连接器自一连接器表面延伸至这些次叠层内的该第一有源层及该第二有源层，且包括：

多条图案化导线，位于该连接器表面顶端之上，且连接层间连接器。