[发明专利]TEM放大率校准方法及用于校准的样品的形成方法有效
| 申请号: | 201410425713.2 | 申请日: | 2014-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN105445293B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
| 发明(设计)人: | 蔡博修;林益世 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G01N23/04 | 分类号: | G01N23/04;G01B15/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 万铁占;骆苏华 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种TEM放大率校准方法及用于放大率校准的样品的形成方法,其中校准方法包括:样品包括:衬底、位于衬底上的至少三层石墨烯层,石墨烯层厚度方向为第一方向;下层的石墨烯层在第二方向具有伸出上层石墨烯层外的凸出部分,顶层石墨烯层和所有凸出部分在第二方向的宽度w0相等;利用待校准TEM测量样品上两点之间的测试宽度w1,两点所在直线平行于第二方向,w1/w0的值m为大于1的整数;找到两点沿第一方向对应的最上方两边界,利用待校准TEM测量两边界之间的测试高度h1;计算得到待校准放大率f1和测试放大率f2的比值为:f1/f2=(m*h0)/h1。本发明的样品能够长期使用,具有较长使用寿命,降低了成本。 | ||
| 搜索关键词: | 校准 石墨烯层 放大率 凸出 测试 衬底 测量 使用寿命 顶层 三层 下层 相等 平行 上层 伸出 | ||
【主权项】:
1.一种TEM放大率校准方法,所述TEM具有至少一待校准放大率,其特征在于,包括:提供样品,所述样品包括:衬底、位于所述衬底上的至少三层叠置的石墨烯层,所述石墨烯层厚度方向为第一方向;在所有相互接触的两层石墨烯层中,下层的石墨烯层在第二方向具有伸出上层石墨烯层外的凸出部分,顶层石墨烯层和所有凸出部分在第二方向的宽度w0相等,所述w0大于单层石墨烯层的厚度h0;每一待校准放大率f1的校准方法包括:利用所述待校准的TEM测量样品上两点之间的测试宽度w1,所述两点所在直线平行于所述第二方向,以顶层石墨烯层沿第二方向背向凸出部分的侧面为界,所述两点位于样品具有凸出部分一侧,w1/w0的值m为大于1的整数;找到样品上所述两点沿第一方向分别对应的最上方的两边界,利用所述待校准的TEM测量所述两边界之间的测试高度h1;计算得到待校准放大率f1和测试放大率f2的比值为:f1/f2=(m*h0)/h1。
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