[发明专利]TEM放大率校准方法及用于校准的样品的形成方法有效
| 申请号: | 201410425713.2 | 申请日: | 2014-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN105445293B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
| 发明(设计)人: | 蔡博修;林益世 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G01N23/04 | 分类号: | G01N23/04;G01B15/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 万铁占;骆苏华 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 校准 石墨烯层 放大率 凸出 测试 衬底 测量 使用寿命 顶层 三层 下层 相等 平行 上层 伸出 | ||
1.一种TEM放大率校准方法,所述TEM具有至少一待校准放大率,其特征在于,包括:
提供样品,所述样品包括:衬底、位于所述衬底上的至少三层叠置的石墨烯层,所述石墨烯层厚度方向为第一方向;
在所有相互接触的两层石墨烯层中,下层的石墨烯层在第二方向具有伸出上层石墨烯层外的凸出部分,顶层石墨烯层和所有凸出部分在第二方向的宽度w0相等,所述w0大于单层石墨烯层的厚度h0;
每一待校准放大率f1的校准方法包括:
利用所述待校准的TEM测量样品上两点之间的测试宽度w1,所述两点所在直线平行于所述第二方向,以顶层石墨烯层沿第二方向背向凸出部分的侧面为界,所述两点位于样品具有凸出部分一侧,w1/w0的值m为大于1的整数;
找到样品上所述两点沿第一方向分别对应的最上方的两边界,利用所述待校准的TEM测量所述两边界之间的测试高度h1;
计算得到待校准放大率f1和测试放大率f2的比值为:f1/f2=(m*h0)/h1。
2.如权利要求1所述的校准方法,其特征在于,w0的范围为20nm~100nm。
3.如权利要求1所述的校准方法,其特征在于,所述样品中石墨烯层的层数范围为3~10。
4.如权利要求1所述的校准方法,其特征在于,在计算得到f1与f2的比值后,多次改变所测样品上两点的位置,每次所测两点所在直线平行于第二方向;
对应每次所测两点,重复所述每一待校准放大率的校准方法的步骤一次,得到待校准放大率与测试放大率的一个比值,对应多次改变样品上两点位置得到多个比值;
对应待校准放大率与测试放大率的一个比值,计算得到待校准放大率与测试放大率之间的一个误差,对应多个比值得到多个误差,对所述多个误差进行统计分析。
5.如权利要求1所述的校准方法,其特征在于,所述衬底的材料为铜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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