[发明专利]一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管有效
| 申请号: | 201410424006.1 | 申请日: | 2014-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN104183502A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
| 发明(设计)人: | 王金科;刘丹军;包顺 | 申请(专利权)人: | 湖南普照爱伯乐平板显示器件有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;G02F1/167 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 410205 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管,通过在驱动基板上分别形成扫描线路层、绝缘层、氧化物半导体层及数据线路层,将扫描线路层上的扫描线路的一端、绝缘层以及数据线路层的转接线的一端熔融在一起,使扫描线路层的扫描线路与转接线连通,并将与扫描线路熔融后的转接线的另一端与驱动基板的控制器连接,实现了扫描线路与控制器的连接,并且,无需专门打孔即可实现转接线通过绝缘层,并使扫描线路、绝缘层、转接线熔融在一起,使得工艺简单,并节约了成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 制作方法 系统 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管制作方法,其特征在于,包括:选取驱动基板;在所述驱动基板上沉积金属导电膜层,形成栅电极图案、与栅电极图案相连的扫描线路,所述栅电极图案及扫描线路位于扫描线路层上;在所述扫描线路层上方设置绝缘层;在所述绝缘层上方形成氧化物半导体层;在所述氧化物半导体层上设置数据线路层,所述数据线路层设置有源电极、漏电极、数据线路及转接线;通过熔融方式使扫描线路的一端、转接线的一端及绝缘层熔融在一起;所述与扫描线路熔融后的转接线的另一端与驱动基板的控制器相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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