[发明专利]封装结构的制法有效
| 申请号： | 201410421722.4 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105405775B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;詹慕萱;纪杰元 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装结构的制法，先提供一包覆至少一电子元件的封装层，再形成一定型层于该封装层上，且该定型层具有开口，之后形成通孔于该开口中的封装层的第一表面上，最后形成导电体于该通孔中，以藉由该定型层的设计，能避免该通孔的孔形变形。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 制法 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构的制法，包括：提供一包覆至少一电子元件的封装层，其中，该封装层具有相对的第一表面及第二表面，该电子元件具有相对的作用面与非作用面，且该电子元件嵌埋于该封装层中；形成一金属定型层于该封装层的第一表面上，且该金属定型层具有至少一开口，以令该封装层的部分第一表面外露于该开口；以激光方式形成连通该封装层的第一及第二表面的至少一通孔，且该金属定型层吸收激光的热效应，其中，该通孔形成于对应该开口处；以及形成导电体于该通孔中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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