[发明专利]封装结构的制法有效
| 申请号： | 201410421722.4 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105405775B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;詹慕萱;纪杰元 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 制法 | ||
1.一种封装结构的制法，包括：
提供一包覆至少一电子元件的封装层，其中，该封装层具有相对的第一表面及第二表面，该电子元件具有相对的作用面与非作用面，且该电子元件嵌埋于该封装层中；
形成一金属定型层于该封装层的第一表面上，且该金属定型层具有至少一开口，以令该封装层的部分第一表面外露于该开口；
以激光方式形成连通该封装层的第一及第二表面的至少一通孔，且该金属定型层吸收激光的热效应，其中，该通孔形成于对应该开口处；以及
形成导电体于该通孔中。
2.如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，该封装层以模封制程或压合制程形成者。
3.如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，该电子元件的作用面齐平该封装层的第一表面。
4.如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，于形成该金属定型层之前，形成导电层于该封装层的第二表面上。
5.如权利要求4所述的封装结构的制法，其特征为，于形成该导电体之后，于该导电层上制作线路构造，以令该线路构造电性连接该导电体。
6.如权利要求4所述的封装结构的制法，其特征为，该导电层为金属层。
7.如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，该制法还包括移除该金属定型层，以制作线路构造于该封装层的第一表面上，以令该线路构造电性连接该导电体及/或该电子元件。
8.如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该线路构造包含至少一线路重布层。
9.如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，于形成该导电体之后，还包括利用该金属定型层制作线路构造。
10.如权利要求9所述的封装结构的制法，其特征为，该线路构造包含至少一线路重布层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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