[发明专利]真空反应烧结高韧性碳化硅陶瓷的方法在审
申请号: | 201410418515.3 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN105367058A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 陈海奕;李建峰;柯美亚;顾燕 | 申请(专利权)人: | 上海柯瑞冶金炉料有限公司;上海彭浦特种耐火材料厂有限公司;上海海事大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/81;C04B35/622 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 201908 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种真空反应烧结高韧性碳化硅陶瓷的方法,其特征在于采用颗粒级配原料组成外加1~1.5%木质素磺酸钙结合剂先混和,然后与水混合配料、注浆成型、真空烧结最终制得SiC陶瓷,所制备的SiC材料的断裂韧性KIC可以在5~5.6MPa·m1/2范围内可调,相对于普通SiC-B-C或SiC-A/N无压烧结的KIC=3.0~4.5MPa·m1/2,提高了5%之多,适用于高温工业炉的使用,具有良好的商业价值。 | ||
搜索关键词: | 真空 反应 烧结 韧性 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【主权项】:
一种真空反应烧结高韧性碳化硅陶瓷的方法,其特征在于使用的颗粒级配的原料通过与水混合、注浆成型以及真空烧结工序制成的;(1)原料的颗粒级配和组成
以上均为质量百分含量;(2)先将金属硅粉和碳纤维混合研磨,然后配成浆料注入石膏模后在真空度小于9kPa脱模,烘干然后放入石墨坩埚中,在真空度小于2Pa条件下1350~1400℃合成SiC晶须,然后再升温至1550~1900℃烧结。
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