[发明专利]隔离结构的制作方法及半导体器件

摘要

本申请公开了一种隔离结构的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；分别在位于第一区域和第二区域中的衬底中形成浅沟槽，并在相邻浅沟槽之间的衬底的表面上形成掩膜层，且位于第一区域中的掩膜层的上表面高于位于第二区域中的掩膜层的上表面；在浅沟槽中形成隔离物质层，且位于第一区域中的隔离物质层的上表面与位于第一区域中的掩膜层的上表面齐平，位于第二区域中的隔离物质层的上表面与位于第二区域中的掩膜层的上表面齐平；去除掩膜层，以使浅沟槽和隔离物质层构成隔离结构。该制作方法实现了使第二区域中形成的隔离结构的高度低于第一区域中形成的隔离结构的高度的目的。

主权项

1.一种隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；分别在位于所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底中形成浅沟槽，并在相邻所述浅沟槽之间的所述衬底的表面上形成掩膜层，且位于所述第一区域中的掩膜层的上表面高于位于所述第二区域中的掩膜层的上表面；在所述浅沟槽中形成隔离物质层，且位于所述第一区域中的所述隔离物质层的上表面与位于所述第一区域中的所述掩膜层的上表面齐平，位于所述第二区域中的所述隔离物质层的上表面与位于所述第二区域中的所述掩膜层的上表面齐平；去除所述掩膜层，以使所述浅沟槽和所述隔离物质层构成所述隔离结构，形成所述浅沟槽和所述掩膜层的步骤包括：在所述衬底的表面上形成掩膜材料层；依次刻蚀所述掩膜材料层和所述衬底，以在所述衬底中形成所述浅沟槽；去除位于所述第二区域中的部分所述掩膜材料层，并将剩余所述掩膜材料层作为所述掩膜层，所述掩膜材料层包括由远离所述衬底依次形成的第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层；在去除位于所述第二区域中的部分所述掩膜材料层的步骤中，去除位于所述第二区域中的所述第二氮化物层。