[发明专利]隔离结构的制作方法及半导体器件

权利要求书

1.一种隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供包括第一区域和第二区域的衬底；

分别在位于所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底中形成浅沟槽，并在相邻所述浅沟槽之间的所述衬底的表面上形成掩膜层，且位于所述第一区域中的掩膜层的上表面高于位于所述第二区域中的掩膜层的上表面；

在所述浅沟槽中形成隔离物质层，且位于所述第一区域中的所述隔离物质层的上表面与位于所述第一区域中的所述掩膜层的上表面齐平，位于所述第二区域中的所述隔离物质层的上表面与位于所述第二区域中的所述掩膜层的上表面齐平；

去除所述掩膜层，以使所述浅沟槽和所述隔离物质层构成所述隔离结构，

形成所述浅沟槽和所述掩膜层的步骤包括：

在所述衬底的表面上形成掩膜材料层；

依次刻蚀所述掩膜材料层和所述衬底，以在所述衬底中形成所述浅沟槽；

去除位于所述第二区域中的部分所述掩膜材料层，并将剩余所述掩膜材料层作为所述掩膜层，

所述掩膜材料层包括由远离所述衬底依次形成的第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层；

在去除位于所述第二区域中的部分所述掩膜材料层的步骤中，去除位于所述第二区域中的所述第二氮化物层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除位于所述第二区域中的部分所述掩膜材料层的步骤包括：

形成覆盖所述第一区域中的所述浅沟槽和所述掩膜材料层的光刻胶层；

刻蚀位于所述第二区域中的所述掩膜材料层，以形成所述掩膜层；

去除所述光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层为SiO₂层，所述第一氮化物层和所述第二氮化物层为SiN层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，去除所述第二氮化物层的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀液为热磷酸。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述掩膜材料层的步骤中，依次形成厚度为的所述第一氧化物层、厚度为的所述第一氮化物层、厚度为的所述第二氧化物层和厚度为的所述第二氮化物层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔离物质层的步骤包括：

在所述浅沟槽的内壁上形成线性氧化物层；

形成覆盖所述浅沟槽和所述掩膜层的氧化物隔离层；

去除位于所述掩膜层上的所述氧化物隔离层以及位于所述第二区域中的所述第二氧化物层，并将所述线性氧化物和剩余的所述氧化物隔离层作为所述隔离物质层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，去除所述氧化物隔离层以及所述第二氧化物层的工艺为化学机械抛光。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述线性氧化物层和所述氧化物隔离层为SiO₂层。