[发明专利]基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构有效
| 申请号： | 201410415235.7 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104425284B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | M·K·阿卡瓦尔达;A·P·雅各布 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构，其提供用于制造集成电路以及鳍式场效晶体管晶体管于基体基板上的方法，其中，主动通道区域以绝缘体隔绝该基板。一种用于制造集成电路的方法，包括形成鳍式结构覆盖于半导体基板上，每个鳍式结构包括通道材料并且从第一末端到第二末端朝纵向延伸。该方法沉积锚固材料于该鳍式结构上方。该方法包括凹陷该锚固材料以形成邻接该鳍式结构的沟槽，其中，该锚固材料与每个鳍式结构的该第一末端以及该第二末端维持接触。进一步来说，该方法以不依赖栅极长度的蚀刻程序于该半导体基板以及每个鳍式结构的该通道材料间形成空隙，其中，每个鳍式结构的该通道材料悬挂在该半导体基板上方。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 鳍式场效 晶体管 不依赖 栅极 长度 气孔 上覆硅 架构 | ||
【主权项】：
一种用于制造鳍式场效晶体管的方法，该方法包括：形成鳍式结构覆盖在半导体基板上，其中，每个鳍式结构包括通道材料，并且从第一末端到第二末端朝纵向延伸；沉积锚固材料在该鳍式结构上方；凹陷该锚固材料以形成邻接该鳍式结构的有较低沟槽表面的边界的沟槽，其中，该锚固材料维持与每个鳍式结构的该第一末端和该第二末端接触；以及以不依赖栅极长度的蚀刻程序在该半导体基板及每个鳍式结构的该通道材料间形成空隙，其中，每个鳍式结构的该通道材料悬挂在该半导体基板上方，以及其中，每个空隙是以较低空隙表面为边界，该较低空隙表面位于该锚固材料的该较低沟槽表面上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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