[发明专利]基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构

权利要求书

1.一种用于制造鳍式场效晶体管的方法，该方法包括：

形成鳍式结构覆盖在半导体基板上，其中，每个鳍式结构包括通道材料，并且从第一末端到第二末端朝纵向延伸；

沉积锚固材料在该鳍式结构上方；

凹陷该锚固材料以形成邻接该鳍式结构的有较低沟槽表面的边界的沟槽，其中，该锚固材料维持与每个鳍式结构的该第一末端和该第二末端接触；以及

以不依赖栅极长度的蚀刻程序在该半导体基板及每个鳍式结构的该通道材料间形成空隙，其中，每个鳍式结构的该通道材料悬挂在该半导体基板上方，以及其中，每个空隙是以较低空隙表面为边界，该较低空隙表面位于该锚固材料的该较低沟槽表面上方。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个空隙是以较高空隙表面为边界以及其中该方法进一步包括：

沉积介电材料在该半导体基板上方，其中，该介电材料沉积于该空隙中以在每个鳍式结构中产生位于该通道材料下方的隔离区块，以及沉积于相邻的鳍式结构之间；以及

凹陷在相邻的鳍式结构之间的该介电材料至一降低表面，其中，该介电材料的该降低表面是位于每个空隙的该较高空隙表面上方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，每个空隙是以较高空隙表面为边界以及其中该方法进一步包括：

沉积介电材料在该半导体基板上方，其中，该介电材料沉积于该空隙中以在每个鳍式结构中产生位于该通道材料下方的隔离区块，以及沉积于相邻的鳍式结构之间；以及

凹陷在相邻的鳍式结构之间的该介电材料至一降低表面，其中，该介电材料的该降低表面是位于每个空隙的该较高空隙表面下方。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

沉积介电材料于相邻的鳍式结构之间及该空隙中，以在每个鳍式结构中产生位于该通道材料下方的隔离区块；以及

凹陷在相邻的鳍式结构之间的该介电材料以曝露每个隔离区块的侧表面。

5.一种用于制造集成电路的方法，该方法包括：

形成多个鳍式结构覆盖在半导体基板上，其中，每个鳍式结构包括通道材料；

沉积第一介电材料在该鳍式结构之间；

从该半导体基板移除非选定鳍式结构，以在相邻于第一选定鳍式结构的该第一介电材料与相邻于第二选定鳍式结构的该第一介电材料之间形成间隙；

沉积浅沟槽隔离材料于该间隙中；

凹陷该第一介电材料以在相邻的鳍式结构之间、该第一选定鳍式结构与该浅沟槽隔离材料之间、及该第二选定鳍式结构与该浅沟槽隔离材料之间形成沟槽；

于每个鳍式结构的该通道材料与该半导体基板间形成空隙，以隔离该通道材料；以及

在形成该空隙后，形成栅极结构覆盖在该鳍式结构上。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括于形成该栅极结构前，以第二介电材料填充每个空隙，以产生位于该通道材料下方的隔离区块。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，每个空隙是以较高空隙表面为边界，以及其中，该方法进一步包括：

沉积第二介电材料在该半导体基板上方，其中，该第二介电材料沉积于该空隙中以在每个鳍式结构中产生位于该通道材料下方的隔离区块，以及沉积于该沟槽中；以及

凹陷该沟槽中的该第二介电材料至一降低表面，其中，该第二介电材料的该降低表面是位于每个空隙的该较高空隙表面下方。

8.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

沉积第二介电材料在该半导体基板上方，其中，该第二介电材料沉积于每个空隙中以在每个鳍式结构中产生位于该通道材料下方的隔离区块，以及沉积于相邻的鳍式结构之间；以及

凹陷在相邻的鳍式结构之间的该第二介电材料以曝露每个隔离区块的侧表面。

9.根据权利要求5所述的方法，其中：

凹陷该第一介电材料包括凹陷该第一介电材料以形成有较低沟槽表面的边界的该沟槽；以及

于每个鳍式结构的该通道材料与该半导体基板之间形成空隙包括将每个空隙以较低空隙表面予以边界，该较低空隙表面是位于该第一介电材料的该较低沟槽表面上方。