[发明专利]具有集成串联电阻的半导体芯片

摘要

具有集成串联电阻的半导体芯片。半导体芯片具有：半导体主体，其具有底侧和布置成在垂直方向上远离底侧的顶侧；活跃晶体管区域和非活跃晶体管区域；在半导体主体中形成的漂移区域；用于外部接触半导体芯片的接触端子焊盘以及在半导体主体中形成的多个晶体管单元。晶体管单元中的每一个晶体管单元具有第一电极。多个连接线中的每一个连接线将第一电极中的另一个第一电极电连接到在相应的连接线的连接位置处的接触端子焊盘。连接线中的每一个连接线具有由下列的至少一个形成的电阻区段：连接线区段的局部减小的横截面面积；和局部增加的比电阻。连接位置中的每一个连接位置和电阻区段中的每一个电阻区段被布置在非活跃晶体管区域中。

主权项

1.一种半导体芯片，包括：具有底侧和布置成在垂直方向上远离所述底侧的顶侧的半导体主体；活跃晶体管区域和非活跃晶体管区域；在所述半导体主体中形成的漂移区域；用于外部接触所述半导体芯片的接触端子焊盘；在所述半导体主体中形成的多个晶体管单元，其中所述晶体管单元中的每一个晶体管单元包括第一电极；以及多个连接线，其中所述连接线中的每一个连接线将所述第一电极中的一个第一电极电连接到在相应的连接线的连接位置处的所述接触端子焊盘，其中所述连接线中的每一个连接线包括电阻区段，所述电阻区段由相对于相应的连接线的邻近的电阻区段的半导体材料或金属的比电阻局部增加的比电阻而形成，且其中所述连接位置中的每一个连接位置和所述电阻区段中的每一个电阻区段被布置在所述非活跃晶体管区域中。