[发明专利]具有集成串联电阻的半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

具有底侧和布置成在垂直方向上远离所述底侧的顶侧的半导体主体；

活跃晶体管区域和非活跃晶体管区域；

在所述半导体主体中形成的漂移区域；

用于外部接触所述半导体芯片的接触端子焊盘；

在所述半导体主体中形成的多个晶体管单元，其中所述晶体管单元中的每一个晶体管单元包括第一电极；以及

多个连接线，其中所述连接线中的每一个连接线将所述第一电极中的一个第一电极电连接到在相应的连接线的连接位置处的所述接触端子焊盘，其中所述连接线中的每一个连接线包括电阻区段，所述电阻区段由相对于相应的连接线的邻近的电阻区段的半导体材料或金属的比电阻局部增加的比电阻而形成，且其中所述连接位置中的每一个连接位置和所述电阻区段中的每一个电阻区段被布置在所述非活跃晶体管区域中。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第一电极中的每一个第一电极被布置在所述半导体主体中形成的沟槽中。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中：

所述晶体管单元包括细长形状；以及

所述晶体管单元的所述第一电极包括细长形状，并在垂直于所述垂直方向的横向方向上平行于彼此伸展。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述连接线中的每一个连接线包括在所述电阻区段中的第一凹槽。

5.如权利要求1到3中的一项所述的半导体芯片，其中所述连接线中的每一个连接线在所述电阻区段中包括下列的至少一个：

在平行于所述垂直方向的方向上延伸到所述相应的连接线中的第一凹槽；以及

在垂直于所述垂直方向的方向上延伸到所述相应的连接线中的第二凹槽。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述连接线中的每一个连接线在所述电阻区段中包括比电阻，所述比电阻高于下列的至少一个：

所述连接线的第一区段的比电阻，其中所述第一区段电连接在所述电阻区段和所述相应的第一电极之间；以及

所述连接线的第二区段的比电阻，其中所述第二区段电连接在所述电阻区段和所述接触端子焊盘之间。

7.如权利要求6所述的半导体芯片，其中所述连接线中的每一个连接线的所述第一区段包括掺杂多晶半导体材料。

8.如权利要求1所述的半导体芯片，其中：

所述连接线中的每一个连接线包括第一区段，其中所述第一区段电连接在所述电阻区段和所述相应的第一电极之间；

所述电阻区段包括具有第一掺杂浓度的掺杂多晶半导体材料；

所述第一区段包括具有第二掺杂浓度的掺杂多晶半导体材料；以及

所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度。

9.如权利要求1所述的半导体芯片，其中：

所述连接线中的每一个连接线包括所述连接线的第二区段，其中所述第二区段电连接在所述电阻区段和所述相应的连接线的所述连接位置之间；

所述电阻区段包括具有第一掺杂浓度的掺杂多晶半导体材料；

所述第二区段包括具有第三掺杂浓度的掺杂多晶半导体材料；以及

所述第三掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度。

10.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第一电极中的每一个第一电极是栅电极。

11.如权利要求10所述的半导体芯片，其中所述栅电极中的每一个栅电极电连接到所述接触端子焊盘，且其中所述接触端子是栅电极焊盘。

12.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第一电极中的每一个第一电极是布置成邻近于所述漂移区域的场板。

13.如权利要求12所述的半导体芯片，其中在所述场板中的每一个场板和所述漂移区域之间的距离小于5 µm。