[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。有时由于作用于硅的III族氮化物半导体的应力使III族氮化物半导体和硅翘曲。一种半导体装置包括：衬底、缓冲层和半导体层。沟槽被形成在所述半导体层的第六面上。所述沟槽穿过所述半导体层和所述缓冲层。所述沟槽的底部至少到达所述衬底的内部。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底，包括第一面和面对第一面的第二面，并且其中至少第一面由硅形成；缓冲层，由第一III族氮化物半导体形成并且包括第三面和面对第三面的第四面，并且其中第三面面对所述衬底的第一面；半导体层，由第二III族氮化物半导体形成并且包括第五面和面对第五面的第六面，并且其中第五面经由所述缓冲层面对所述衬底的第一面；源极电极，耦接到所述半导体层的第六面；漏极电极，耦接到所述半导体层的第六面；栅极电极，经由所述半导体层面对所述缓冲层并且在平面图中形成在所述源极电极和所述漏极电极之间；层间绝缘膜，形成为覆盖所述源极电极、所述漏极电极和所述栅极电极；源极焊盘，耦接到所述源极电极并且经由所述层间绝缘膜面对所述半导体层的第六面；漏极焊盘，耦接到所述漏极电极并且经由所述层间绝缘膜面对所述半导体层的第六面；以及栅极焊盘，耦接到所述栅极电极并且经由所述层间绝缘膜面对所述半导体层的第六面，其中沟槽被形成在所述半导体层的第六面上，使得在平面图中所述沟槽围绕所述源极焊盘、所述漏极焊盘和所述栅极焊盘，所述沟槽穿过所述半导体层和所述缓冲层，并且所述沟槽的底部至少到达所述衬底的内部，以及所述半导体装置还包括绝缘膜，从所述沟槽的底表面到所述沟槽的侧表面形成所述绝缘膜并且沿着所述沟槽的侧表面和底表面形成所述绝缘膜的表面，以及金属膜，在所述沟槽中形成在所述绝缘膜的内侧，并且在所述沟槽的高度方向上至少从所述衬底到所述缓冲层形成所述金属膜。