[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，包括第一面和面对第一面的第二面，并且其中至少第一面由硅形成；

缓冲层，由第一III族氮化物半导体形成并且包括第三面和面对第三面的第四面，并且其中第三面面对所述衬底的第一面；

半导体层，由第二III族氮化物半导体形成并且包括第五面和面对第五面的第六面，并且其中第五面经由所述缓冲层面对所述衬底的第一面；

源极电极，耦接到所述半导体层的第六面；

漏极电极，耦接到所述半导体层的第六面；

栅极电极，经由所述半导体层面对所述缓冲层并且在平面图中形成在所述源极电极和所述漏极电极之间；

层间绝缘膜，形成为覆盖所述源极电极、所述漏极电极和所述栅极电极；

源极焊盘，耦接到所述源极电极并且经由所述层间绝缘膜面对所述半导体层的第六面；

漏极焊盘，耦接到所述漏极电极并且经由所述层间绝缘膜面对所述半导体层的第六面；以及

栅极焊盘，耦接到所述栅极电极并且经由所述层间绝缘膜面对所述半导体层的第六面，

其中沟槽被形成在所述半导体层的第六面上，使得在平面图中所述沟槽围绕所述源极焊盘、所述漏极焊盘和所述栅极焊盘，所述沟槽穿过所述半导体层和所述缓冲层，并且所述沟槽的底部至少到达所述衬底的内部，以及

所述半导体装置还包括

绝缘膜，从所述沟槽的底表面到所述沟槽的侧表面形成所述绝缘膜并且沿着所述沟槽的侧表面和底表面形成所述绝缘膜的表面，以及

金属膜，在所述沟槽中形成在所述绝缘膜的内侧，并且在所述沟槽的高度方向上至少从所述衬底到所述缓冲层形成所述金属膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

栅极绝缘膜，形成在所述半导体层和所述栅极电极之间，

其中所述栅极绝缘膜和所述绝缘膜由相同的材料形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中从所述半导体层的第六面到所述沟槽的所述侧表面连续地形成所述栅极绝缘膜和所述绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述层间绝缘膜被埋置在所述沟槽中。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中从所述沟槽的底表面到侧表面形成所述金属膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中在所述层间绝缘膜的表面上在平面图中沿着所述沟槽形成缝隙。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述金属膜被形成为使得在所述沟槽的底表面处暴露所述绝缘膜。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

密封环，埋置在所述层间绝缘膜中并且在平面图中沿着所述沟槽形成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述金属膜被形成为使得填充所述沟槽的底部。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中从所述衬底的第一面到所述沟槽的底部的距离在所述衬底的厚度方向上是100nm或更大。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述沟槽穿过所述衬底。