[发明专利]一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410402668.9 | 申请日： | 2014-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN104183651B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;刘晓勇;黄泓帆;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓半浮栅 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓半浮栅功率器件，包括：半导体基底上的氮化镓阻挡层，该氮化镓阻挡层之上设有氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层之上设有氮化镓铝隔离层；其特征在于；所述氮化镓铝沟道层内设有第一凹槽和第二凹槽，该第一凹槽和第二凹槽的底部延伸至所述氮化镓沟道层的下表面，所述氮化镓铝隔离层将所述第一凹槽和第二凹槽暴露出来；所述氮化镓铝隔离层之上设有栅介质层，该栅介质层覆盖所述第一凹槽的内表面，且该栅介质层中设有一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来；覆盖所述栅介质层设有浮栅，该浮栅填满所述第一凹槽和第二凹槽；所述浮栅之上设有层间介质层，该层间介质层之上设有控制栅；所述控制栅的两侧设有源极和漏极，该源极和漏极设于所述氮化镓沟道层之上，且该漏极设于靠近所述第一凹槽的一侧，该源极设于靠近所述第二凹槽的一侧。
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