[发明专利]一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法

权利要求书

1. 一种氮化镓半浮栅功率器件，包括：

半导体基底上的氮化镓阻挡层，该氮化镓阻挡层之上设有氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层之上设有氮化镓铝隔离层；

其特征在于；

所述氮化镓铝沟道层内设有第一凹槽和第二凹槽，该第一凹槽和第二凹槽的底部延伸至所述氮化镓沟道层的下表面，所述氮化镓铝隔离层将所述第一凹槽和第二凹槽暴露出来；

所述氮化镓铝隔离层之上设有栅介质层，该栅介质层覆盖所述第一凹槽的内表面，且该栅介质层中设有一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来；

覆盖所述栅介质层设有浮栅，该浮栅填满所述第一凹槽和第二凹槽；

所述浮栅之上设有层间介质层，该层间介质层之上设有控制栅；

所述控制栅的两侧设有源极和漏极，该源极和漏极设于所述氮化镓沟道层之上，且该漏极设于靠近所述第一凹槽的一侧，该源极设于靠近所述第二凹槽的一侧。

2. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述浮栅的材质为铬、或者含镍或含钨的合金、或者掺杂的多晶硅。

3. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述浮栅在所述第二凹槽内与所述氮化镓沟道层接触并形成肖特基二极管。

4. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述层间介质层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或几种。

5. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述控制栅为多晶硅控制栅或者金属控制栅。

6. 关于权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件的制造方法，包括：

在半导体基底上依次形成氮化镓阻挡层、氮化镓沟道层和氮化镓铝隔离层；

其特征在于还包括：

进行光刻和刻蚀，在所述氮化镓沟道层内形成第一凹槽和第二凹槽；

淀积一层栅介质层并进行光刻和刻蚀，在所述栅介质层中形成一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来；

覆盖上述形成的结构淀积第一层导电薄膜；

在所述第一层导电薄膜之上形成第一层绝缘薄膜；

在所述第一层绝缘薄膜之上形成第二层导电薄膜；

进行光刻并依次刻蚀所述第二层导电薄膜、第二层绝缘薄膜和第一层导电薄膜，形成覆盖所述第一凹槽和第二凹槽的浮栅以及位于浮栅之上的层间介质层和控制栅；

在所述控制栅的两侧分别形成于与所述氮化镓沟道层接触的源极和漏极。