[发明专利]薄膜晶体管结构在审
| 申请号： | 201410399681.3 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104218093A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 倪杰;肖丽娜;王焕楠 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201506 上海市金*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管结构，应用于控制显示器件的电流，所述薄膜晶体管结构包括多晶硅图案和金属栅极，所述多晶硅图案中的部分区与所述金属栅极在竖直方向上重叠，且该部分区域内的多晶硅图案沿折线或曲线分布。本发明的具有小宽长比的薄膜晶体管结构与传统的结构相比，由于多晶硅图案部分的形状由直线变为折线或曲线，因此，相对于直线分布的传统结构中的多晶硅图案而言，本发明中的结构能够增加多晶硅图案的长度，进而减小器件的宽长比，使得器件在不额外增加面积的情况下达到所需的宽长比。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：多晶硅层；第一绝缘层，位于所述多晶硅层上；栅极，位于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层及所述栅极上；源极，位于所述第二绝缘层上相对于所述栅极的一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第一通孔与所述多晶硅层接触；以及漏极，位于所述第二绝缘层上的所述源极相对于所述栅极的另一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第二通孔与所述多晶硅层接触；其中，所述多晶硅层具有沿折线或者曲线分布的几何图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司，未经上海和辉光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410399681.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
