[发明专利]薄膜晶体管结构在审
| 申请号： | 201410399681.3 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104218093A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 倪杰;肖丽娜;王焕楠 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201506 上海市金*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 | ||
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：
多晶硅层；
第一绝缘层，位于所述多晶硅层上；
栅极，位于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层及所述栅极上；
源极，位于所述第二绝缘层上相对于所述栅极的一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第一通孔与所述多晶硅层接触；以及
漏极，位于所述第二绝缘层上的所述源极相对于所述栅极的另一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第二通孔与所述多晶硅层接触；
其中，所述多晶硅层具有沿折线或者曲线分布的几何图形。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，沿折线分布的所述几何图形至少包括两个拐点。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，在沿折线分布的所述几何图形中，以所述拐点为界，位于每个所述拐点之前的部分和之后的部分之间形成一夹角，且所述夹角为直角。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，在沿折线分布的所述几何图形中，以所述拐点为界，位于每个所述拐点之前的部分和之后的部分之间形成一夹角，且所述夹角为锐角。
5.如权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，在沿折线分布的所述几何图形中，以所述拐点为界，位于每个所述拐点之前的部分和之后的部分之间形成一夹角，且所述夹角为钝角。
6.如权利要求1～5中任意一项所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，位于所述多晶硅层中的所述几何图形的长度在纵向上的分量之和与其在横向上的分量之和相等。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述几何图形包括多段相互平行的区段，且每两个相邻的所述区段之间的间距不小于2μm。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述间距为2μm～3μm。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，沿曲线分布的所述几何图形至少包含三段笔直区段和两段曲线区段，且相邻的所述笔直区段间通过一个所述曲线区段连接。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，位于所述多晶硅层中的所述几何图形的长度在纵向上的分量之和与其在横向上的分量之和相等。
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