[发明专利]薄膜晶体管结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种薄膜晶体管结构。

背景技术

目前，在有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，简称：AMOLED)背板的设计像素内包含多个薄膜晶体管(TFT)。包括主驱动薄膜晶体管和开关及补偿薄膜晶体管，其中，主驱动薄膜晶体管的作用是控制OLED的电流，其在整个像素电路中起着重要的作用，所占面积也最大。

如今，伴随着AMOLED高解析度和高亮度的市场需求趋势，像素面积需要朝更小的方向发展，因此，在这种前提下，驱动薄膜晶体管所占用的面积也需要相应减少。

图1是传统的驱动薄膜晶体管的俯视结构示意图，如图所示，驱动薄膜晶体管包括多晶硅图案101和金属栅极104，从图中可知，在现有的驱动薄膜晶体管结构中，多晶硅图案101在与金属栅极104重叠的部分呈直线分布，图中分别绘示出了多晶硅图案的宽度(W)和长度(L)，根据该结构中的多晶硅图案的分布方式，如果想要减小器件的宽长比(W/L)，就需要在保持多晶硅图案宽度不变的情况下增加多晶硅图案的长度，由于现有的器件结构中多晶硅图案的分布采用的是直线形式，所以在现有技术中减小器件宽长比的途径是增加金属栅极的面积，当金属栅极的面积增加之后，多晶硅图案中与该金属栅极中重叠部分的长度也相应增加。这样虽然可以减小器件的宽长比来达到工艺所需的值，但是在这个过程中却使器件的面积增加了，这就带来了器件制造的瓶颈。中国专利(CN 1161843C)公开了一种具有小宽/长比的闭合晶体管，该闭合晶体管能够很好限定W/L值小的器件尺寸，该闭合晶体管包括：围绕有源器件区的浅沟槽隔离区，该浅沟槽隔离区包括一介质；覆盖在有源器件区上的栅；位于有源器件区内而没有浅沟槽区与有源器件区之间的接触界面的源和漏，用上述的栅使源和漏互相隔开。

该专利提供了一种具有小W/L比的闭合晶体管。

美国专利(US7710525B2)公开了一种有效布局薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极以及源极/漏极，在期间插入有源层，源极和漏极在水平方向上交替设置，相同的源极沿斜线方向设置并且相同的漏极沿斜线方向设置，源线与沿斜线方向设置的源极相连而漏线与沿斜线方向设置的漏极相连。

可见，在现有的驱动薄膜晶体管器件中还不存在一种充分利用有限的器件面积来实现小宽长比的薄膜晶体管器件。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种薄膜晶体管结构。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为：

一种薄膜晶体管结构，包括：

多晶硅层；

第一绝缘层，位于所述多晶硅层上；

栅极，位于所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，位于所述第一绝缘层及所述栅极上；

源极，位于所述第二绝缘层上相对于所述栅极的一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第一通孔与所述多晶硅层接触；以及

漏极，位于所述第二绝缘层上的所述源极相对于所述栅极的另一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第二通孔与所述多晶硅层接触；

其中，所述多晶硅层具有沿折线或者曲线分布的几何图形。

所述的薄膜晶体管结构，其中，沿折线分布的所述几何图形至少包括两个拐点。

所述的薄膜晶体管结构，其中，在沿折线分布的所述几何图形中，以所述拐点为界，位于每个所述拐点之前的部分和之后的部分之间形成一夹角，且所述夹角为直角。

所述的薄膜晶体管结构，其中，在沿折线分布的所述几何图形中，以所述拐点为界，位于每个所述拐点之前的部分和之后的部分之间形成一夹角，且所述夹角为锐角。

所述的薄膜晶体管结构，其中，在沿折线分布的所述几何图形中，以所述拐点为界，位于每个所述拐点之前的部分和之后的部分之间形成一夹角，且所述夹角为钝角。

所述的薄膜晶体管结构，其中，位于所述多晶硅层中的所述几何图形的长度在纵向上的分量之和与其在横向上的分量之和相等。

所述的薄膜晶体管结构，其中，所述几何图形包括多段相互平行的区段，且每两个相邻的所述区段之间的间距不小于2μm。

所述的薄膜晶体管结构，其中，所述间距为2μm～3μm。

所述的薄膜晶体管结构，其中，沿曲线分布的所述几何图形至少包含三段笔直区段和两段曲线区段，且相邻的所述笔直区段间通过一个所述曲线区段连接。