[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体器件及其制造方法。形成从半导体衬底的主表面在半导体衬底的内部延伸的第一凹部。在主表面之上、第一凹部的侧壁和底壁之上形成绝缘膜，以便覆盖元件并且在第一凹部内形成带盖的中空。在绝缘膜内形成第一孔部分，以便从绝缘膜的上表面到达第一凹部内的中空，并且到达第一凹部的底壁上的半导体衬底，而保留第一凹部的侧壁之上的绝缘膜。形成从绝缘膜的上表面到达导电部分的第二孔部分。以相同的蚀刻处理形成第一孔部分和第二孔部分。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成元件，所述元件具有位于半导体衬底的主表面上的导电部分；形成第一凹部，所述第一凹部从所述主表面在所述半导体衬底内部延伸；在所述主表面之上以及在所述第一凹部的侧壁和底壁之上形成绝缘膜，以便覆盖所述元件并且在所述第一凹部内形成带盖的中空；在所述绝缘膜内形成第一孔部分，以便从所述绝缘膜的上表面到达所述第一凹部内的所述中空，并且到达所述第一凹部的底壁内的半导体衬底，而保留所述第一凹部的侧壁之上的所述绝缘膜；和形成第二孔部分，所述第二孔部分从所述绝缘膜的上表面到达所述导电部分，其中以同一蚀刻处理过程形成所述第一孔部分和所述第二孔部分。